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专利基本信息
专利名称 一种贵金属钯纳米粒子膜在金电极表面的制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN1185369C
专利申请日期 2002-07-09 专利类型 发明专利
申请公布号 CN02123907.X 申请公布日 2002-07-09
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 董绍俊, 申燕, 刘柏峰
专利权人 中国科学院长春应用化学研究所
专利摘要 一种贵金属钯纳米粒子膜在金电极表面的制备方法,以金电极为修饰基底,铂片为对电极,以Ag/AgCl为参比电极,室温下把在1M H-(2)SO-(4)溶液中扫描可以得到标准伏安图的金电极浸入到含0.01~1mM氯钯酸钾的硫酸溶液里,硫酸浓度为0.2M~1M,搅拌电解液;阴极极化电位为-0.1V~-0.8V,极化时间为10~40分钟;取出电极用水冲洗,干燥器里放置一天后,得到稳定的贵金属纳米粒子修饰电极。由于沉积的钯纳米粒子与金电极表面可形成牢固的金属键,所得到的纳米粒子膜稳定、有序,可以实现氧的四电子还原。用该电极组装的DO传感器稳定性好,灵敏度高,可以实现对环境中氧的高质量在线监测。
专利价值评估分析
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