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专利基本信息
专利名称 一种可控Cu掺杂位ZnSe/ZnS/L‑cys纳米晶的制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN106129176B
专利申请日期 2016-07-08 专利类型 发明专利
申请公布号 2016105466064 申请公布日 2016-07-08
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 李葵英;崔洁圆
专利权人 燕山大学
专利摘要 本发明公开了一种用于可控Cu掺杂位ZnSe/ZnS/L‑cys纳米晶的制备方法,其主要是将硒粉和硼氢化钠制备成硒氢化钠水溶液,将氯化锌和L‑半胱氨酸制备成锌前驱体溶液,再将氯化铜制备成CuCl2溶液,然后将上述三种溶液混合,回流反应3小时后移至容器中,加入丙酮,使其沉淀,用去离子水和无水乙醇对上述沉淀洗涤,反复离心三次后烘干,研磨成掺铜硒化锌核‑壳结构纳米晶。本发明制备的核‑壳结构Cu:ZnSe/ZnS/L‑cys纳米晶材料的表面光伏响应范围增加约78~100纳米,且均处于可见光范围内;光伏响应强度最大值是原传统方法制得样品光伏响应强度的13~29倍。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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