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基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。
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基于高速低功耗外围电路以及纠错算法模型的128k 阻变存储器（忆阻器、ReRAM）芯片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
阻变存储器基于0.13µm CMOS混合信号工艺进行实现。针对ReRAM 的结构特点，高速低功耗外围电路包括自适应写验证（Write-verify）电路，尾码（Tail bit）消除电路，ReRAM 电路刷新机制提高保持（retension）机制，改善读打扰（read disturb）机制。芯片内部同时包括多种纠错算法模型，如BCH 码纠错、汉明码纠错、海思码纠错等。测试结果显示该写电路功能良好，在高阻100k和10k时, 写入成功率接近100%。该芯片可作为新型高速存储器、类脑计算的神经突触应用的核心部件，应用于人工智能的语音识别、图像识别系统解决方案。
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一种非挥发阻变存储器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。 本发明存储器借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。存储器通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
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一种阻变存储器元件及其制备方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
根据目前的研究情况,阻变存储器的制造技术为主要为原子层沉积技术.原子层沉积技术原理是通过化学反应,将物质以单原子膜的形式一层层镀在基底表面的方法,这种技术使得每次化学反应只沉积一层原子。 忆阻存储器是一种新兴的非挥发性存储器，具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。与传统浮栅闪存相比，在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势, 忆阻器具有以下特点：①忆阻器是连续器件，因而存储的精度是无限的；②忆阻器在使用过程中其内部的结构发生变化，因而具有电不易失性；③由于忆阻器是基础元器件，可以方便地将忆阻器设计在电路中，获得混合型的电路，便于使用；④随着忆阻器内部变量变化方式的不同，可以实现数字与模拟两种状态。 阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。随着研究的深入和技术的成熟，忆阻将在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面得到广泛应用。由于其优良的特性，将大大降低生产成本，丰富人类生活，优化生活质量。 成果实施对原材料、设备、厂房、动力、土地、人力……资源、环保、周边环境等方面的要求） 采用真空设备，可以更大程度排除环境对制作阻变存储器的影响。 环境要求，设备存放在15m2大小的空间，需要循环水、220V稳压交流电以及氩气、氧气等气体，温度（室温）、湿度（50%以内）适中。
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基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。
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一种有机阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。 制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。 本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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一种阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；
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一种非挥发性阻变存储器有源集成结构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，第一金属电极作为源极S和位线，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极和作为板线的第三金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型将FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，可省去FET漏电极的制备，LaAlO3薄膜可同时作为FET选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质，可大幅度简化集成器件结构单元，降低器件交叉阵列制备成本和高密度交叉阵列制备工艺。
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一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器，包括底电极、顶电极和电阻转变层，电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜，掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间，掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜，掺杂金属薄膜设置于第一层氧化钒薄膜和第二层氧化钒薄膜之间形成三明治结构。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜。通过掺杂金属薄膜，使得氧化钒阻变材料在施加电压的情况下薄膜中以金属离子运动组合的方式形成导电通道，大幅提升电阻转变的稳定性，并且消除了Forming过程。
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一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用氧化钒薄膜，氧化钒成分为VO x ，其中0.5＜X＜2.5，氧化钒薄膜的厚度为(20-500)纳米；所述底电极为Pt、W、Ti、TiN、Cu或导电金刚石，所述顶电极采用电接触较好的Cu、Ag或Al。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜，且通过退火处理，可以降低基于氧化钒的阻变存储器的Forming电压，得到低的Set、Reset电压，从而可以降低器件的功耗。
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基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。
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基于高速低功耗外围电路以及纠错算法模型的128k 阻变存储器（忆阻器、ReRAM）芯片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
阻变存储器基于0.13µm CMOS混合信号工艺进行实现。针对ReRAM 的结构特点，高速低功耗外围电路包括自适应写验证（Write-verify）电路，尾码（Tail bit）消除电路，ReRAM 电路刷新机制提高保持（retension）机制，改善读打扰（read disturb）机制。芯片内部同时包括多种纠错算法模型，如BCH 码纠错、汉明码纠错、海思码纠错等。测试结果显示该写电路功能良好，在高阻100k和10k时, 写入成功率接近100%。该芯片可作为新型高速存储器、类脑计算的神经突触应用的核心部件，应用于人工智能的语音识别、图像识别系统解决方案。
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一种非挥发阻变存储器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。 本发明存储器借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。存储器通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
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一种阻变存储器元件及其制备方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
根据目前的研究情况,阻变存储器的制造技术为主要为原子层沉积技术.原子层沉积技术原理是通过化学反应,将物质以单原子膜的形式一层层镀在基底表面的方法,这种技术使得每次化学反应只沉积一层原子。 忆阻存储器是一种新兴的非挥发性存储器，具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。与传统浮栅闪存相比，在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势, 忆阻器具有以下特点：①忆阻器是连续器件，因而存储的精度是无限的；②忆阻器在使用过程中其内部的结构发生变化，因而具有电不易失性；③由于忆阻器是基础元器件，可以方便地将忆阻器设计在电路中，获得混合型的电路，便于使用；④随着忆阻器内部变量变化方式的不同，可以实现数字与模拟两种状态。 阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。随着研究的深入和技术的成熟，忆阻将在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面得到广泛应用。由于其优良的特性，将大大降低生产成本，丰富人类生活，优化生活质量。 成果实施对原材料、设备、厂房、动力、土地、人力……资源、环保、周边环境等方面的要求） 采用真空设备，可以更大程度排除环境对制作阻变存储器的影响。 环境要求，设备存放在15m2大小的空间，需要循环水、220V稳压交流电以及氩气、氧气等气体，温度（室温）、湿度（50%以内）适中。
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基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。
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一种有机阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。 制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。 本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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一种阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；
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一种非挥发性阻变存储器有源集成结构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，第一金属电极作为源极S和位线，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极和作为板线的第三金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型将FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，可省去FET漏电极的制备，LaAlO3薄膜可同时作为FET选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质，可大幅度简化集成器件结构单元，降低器件交叉阵列制备成本和高密度交叉阵列制备工艺。
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一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器，包括底电极、顶电极和电阻转变层，电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜，掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间，掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜，掺杂金属薄膜设置于第一层氧化钒薄膜和第二层氧化钒薄膜之间形成三明治结构。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜。通过掺杂金属薄膜，使得氧化钒阻变材料在施加电压的情况下薄膜中以金属离子运动组合的方式形成导电通道，大幅提升电阻转变的稳定性，并且消除了Forming过程。
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一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用氧化钒薄膜，氧化钒成分为VO x ，其中0.5＜X＜2.5，氧化钒薄膜的厚度为(20-500)纳米；所述底电极为Pt、W、Ti、TiN、Cu或导电金刚石，所述顶电极采用电接触较好的Cu、Ag或Al。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜，且通过退火处理，可以降低基于氧化钒的阻变存储器的Forming电压，得到低的Set、Reset电压，从而可以降低器件的功耗。
找到22项技术成果数据。
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基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。
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基于高速低功耗外围电路以及纠错算法模型的128k 阻变存储器（忆阻器、ReRAM）芯片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
阻变存储器基于0.13µm CMOS混合信号工艺进行实现。针对ReRAM 的结构特点，高速低功耗外围电路包括自适应写验证（Write-verify）电路，尾码（Tail bit）消除电路，ReRAM 电路刷新机制提高保持（retension）机制，改善读打扰（read disturb）机制。芯片内部同时包括多种纠错算法模型，如BCH 码纠错、汉明码纠错、海思码纠错等。测试结果显示该写电路功能良好，在高阻100k和10k时, 写入成功率接近100%。该芯片可作为新型高速存储器、类脑计算的神经突触应用的核心部件，应用于人工智能的语音识别、图像识别系统解决方案。
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一种非挥发阻变存储器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。 本发明存储器借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。存储器通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
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一种阻变存储器元件及其制备方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
根据目前的研究情况,阻变存储器的制造技术为主要为原子层沉积技术.原子层沉积技术原理是通过化学反应,将物质以单原子膜的形式一层层镀在基底表面的方法,这种技术使得每次化学反应只沉积一层原子。 忆阻存储器是一种新兴的非挥发性存储器，具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。与传统浮栅闪存相比，在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势, 忆阻器具有以下特点：①忆阻器是连续器件，因而存储的精度是无限的；②忆阻器在使用过程中其内部的结构发生变化，因而具有电不易失性；③由于忆阻器是基础元器件，可以方便地将忆阻器设计在电路中，获得混合型的电路，便于使用；④随着忆阻器内部变量变化方式的不同，可以实现数字与模拟两种状态。 阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。随着研究的深入和技术的成熟，忆阻将在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面得到广泛应用。由于其优良的特性，将大大降低生产成本，丰富人类生活，优化生活质量。 成果实施对原材料、设备、厂房、动力、土地、人力……资源、环保、周边环境等方面的要求） 采用真空设备，可以更大程度排除环境对制作阻变存储器的影响。 环境要求，设备存放在15m2大小的空间，需要循环水、220V稳压交流电以及氩气、氧气等气体，温度（室温）、湿度（50%以内）适中。
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基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。
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一种有机阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。 制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。 本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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一种阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；
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一种非挥发性阻变存储器有源集成结构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，第一金属电极作为源极S和位线，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极和作为板线的第三金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型将FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，可省去FET漏电极的制备，LaAlO3薄膜可同时作为FET选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质，可大幅度简化集成器件结构单元，降低器件交叉阵列制备成本和高密度交叉阵列制备工艺。
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一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器，包括底电极、顶电极和电阻转变层，电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜，掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间，掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜，掺杂金属薄膜设置于第一层氧化钒薄膜和第二层氧化钒薄膜之间形成三明治结构。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜。通过掺杂金属薄膜，使得氧化钒阻变材料在施加电压的情况下薄膜中以金属离子运动组合的方式形成导电通道，大幅提升电阻转变的稳定性，并且消除了Forming过程。
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一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用氧化钒薄膜，氧化钒成分为VO x ，其中0.5＜X＜2.5，氧化钒薄膜的厚度为(20-500)纳米；所述底电极为Pt、W、Ti、TiN、Cu或导电金刚石，所述顶电极采用电接触较好的Cu、Ag或Al。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜，且通过退火处理，可以降低基于氧化钒的阻变存储器的Forming电压，得到低的Set、Reset电压，从而可以降低器件的功耗。
找到22项技术成果数据。
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基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。
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基于高速低功耗外围电路以及纠错算法模型的128k 阻变存储器（忆阻器、ReRAM）芯片
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
阻变存储器基于0.13µm CMOS混合信号工艺进行实现。针对ReRAM 的结构特点，高速低功耗外围电路包括自适应写验证（Write-verify）电路，尾码（Tail bit）消除电路，ReRAM 电路刷新机制提高保持（retension）机制，改善读打扰（read disturb）机制。芯片内部同时包括多种纠错算法模型，如BCH 码纠错、汉明码纠错、海思码纠错等。测试结果显示该写电路功能良好，在高阻100k和10k时, 写入成功率接近100%。该芯片可作为新型高速存储器、类脑计算的神经突触应用的核心部件，应用于人工智能的语音识别、图像识别系统解决方案。
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一种非挥发阻变存储器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。 本发明存储器借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。存储器通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
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一种阻变存储器元件及其制备方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
根据目前的研究情况,阻变存储器的制造技术为主要为原子层沉积技术.原子层沉积技术原理是通过化学反应,将物质以单原子膜的形式一层层镀在基底表面的方法,这种技术使得每次化学反应只沉积一层原子。 忆阻存储器是一种新兴的非挥发性存储器，具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。与传统浮栅闪存相比，在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势, 忆阻器具有以下特点：①忆阻器是连续器件，因而存储的精度是无限的；②忆阻器在使用过程中其内部的结构发生变化，因而具有电不易失性；③由于忆阻器是基础元器件，可以方便地将忆阻器设计在电路中，获得混合型的电路，便于使用；④随着忆阻器内部变量变化方式的不同，可以实现数字与模拟两种状态。 阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。随着研究的深入和技术的成熟，忆阻将在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面得到广泛应用。由于其优良的特性，将大大降低生产成本，丰富人类生活，优化生活质量。 成果实施对原材料、设备、厂房、动力、土地、人力……资源、环保、周边环境等方面的要求） 采用真空设备，可以更大程度排除环境对制作阻变存储器的影响。 环境要求，设备存放在15m2大小的空间，需要循环水、220V稳压交流电以及氩气、氧气等气体，温度（室温）、湿度（50%以内）适中。
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基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。
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一种有机阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。 制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。 本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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一种阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；
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一种非挥发性阻变存储器有源集成结构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，第一金属电极作为源极S和位线，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极和作为板线的第三金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型将FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，可省去FET漏电极的制备，LaAlO3薄膜可同时作为FET选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质，可大幅度简化集成器件结构单元，降低器件交叉阵列制备成本和高密度交叉阵列制备工艺。
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一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器，包括底电极、顶电极和电阻转变层，电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜，掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间，掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜，掺杂金属薄膜设置于第一层氧化钒薄膜和第二层氧化钒薄膜之间形成三明治结构。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜。通过掺杂金属薄膜，使得氧化钒阻变材料在施加电压的情况下薄膜中以金属离子运动组合的方式形成导电通道，大幅提升电阻转变的稳定性，并且消除了Forming过程。
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一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用氧化钒薄膜，氧化钒成分为VO x ，其中0.5＜X＜2.5，氧化钒薄膜的厚度为(20-500)纳米；所述底电极为Pt、W、Ti、TiN、Cu或导电金刚石，所述顶电极采用电接触较好的Cu、Ag或Al。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜，且通过退火处理，可以降低基于氧化钒的阻变存储器的Forming电压，得到低的Set、Reset电压，从而可以降低器件的功耗。
找到22项技术成果数据。
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基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。
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基于高速低功耗外围电路以及纠错算法模型的128k 阻变存储器（忆阻器、ReRAM）芯片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
阻变存储器基于0.13µm CMOS混合信号工艺进行实现。针对ReRAM 的结构特点，高速低功耗外围电路包括自适应写验证（Write-verify）电路，尾码（Tail bit）消除电路，ReRAM 电路刷新机制提高保持（retension）机制，改善读打扰（read disturb）机制。芯片内部同时包括多种纠错算法模型，如BCH 码纠错、汉明码纠错、海思码纠错等。测试结果显示该写电路功能良好，在高阻100k和10k时, 写入成功率接近100%。该芯片可作为新型高速存储器、类脑计算的神经突触应用的核心部件，应用于人工智能的语音识别、图像识别系统解决方案。
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一种非挥发阻变存储器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。 本发明存储器借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。存储器通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
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一种阻变存储器元件及其制备方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
根据目前的研究情况,阻变存储器的制造技术为主要为原子层沉积技术.原子层沉积技术原理是通过化学反应,将物质以单原子膜的形式一层层镀在基底表面的方法,这种技术使得每次化学反应只沉积一层原子。 忆阻存储器是一种新兴的非挥发性存储器，具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。与传统浮栅闪存相比，在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势, 忆阻器具有以下特点：①忆阻器是连续器件，因而存储的精度是无限的；②忆阻器在使用过程中其内部的结构发生变化，因而具有电不易失性；③由于忆阻器是基础元器件，可以方便地将忆阻器设计在电路中，获得混合型的电路，便于使用；④随着忆阻器内部变量变化方式的不同，可以实现数字与模拟两种状态。 阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。随着研究的深入和技术的成熟，忆阻将在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面得到广泛应用。由于其优良的特性，将大大降低生产成本，丰富人类生活，优化生活质量。 成果实施对原材料、设备、厂房、动力、土地、人力……资源、环保、周边环境等方面的要求） 采用真空设备，可以更大程度排除环境对制作阻变存储器的影响。 环境要求，设备存放在15m2大小的空间，需要循环水、220V稳压交流电以及氩气、氧气等气体，温度（室温）、湿度（50%以内）适中。
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基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。
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一种有机阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。 制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。 本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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一种阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；
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一种非挥发性阻变存储器有源集成结构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，第一金属电极作为源极S和位线，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极和作为板线的第三金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型将FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，可省去FET漏电极的制备，LaAlO3薄膜可同时作为FET选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质，可大幅度简化集成器件结构单元，降低器件交叉阵列制备成本和高密度交叉阵列制备工艺。
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一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器，包括底电极、顶电极和电阻转变层，电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜，掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间，掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜，掺杂金属薄膜设置于第一层氧化钒薄膜和第二层氧化钒薄膜之间形成三明治结构。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜。通过掺杂金属薄膜，使得氧化钒阻变材料在施加电压的情况下薄膜中以金属离子运动组合的方式形成导电通道，大幅提升电阻转变的稳定性，并且消除了Forming过程。
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一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用氧化钒薄膜，氧化钒成分为VO x ，其中0.5＜X＜2.5，氧化钒薄膜的厚度为(20-500)纳米；所述底电极为Pt、W、Ti、TiN、Cu或导电金刚石，所述顶电极采用电接触较好的Cu、Ag或Al。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜，且通过退火处理，可以降低基于氧化钒的阻变存储器的Forming电压，得到低的Set、Reset电压，从而可以降低器件的功耗。
找到22项技术成果数据。
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基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。
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基于高速低功耗外围电路以及纠错算法模型的128k 阻变存储器（忆阻器、ReRAM）芯片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
阻变存储器基于0.13µm CMOS混合信号工艺进行实现。针对ReRAM 的结构特点，高速低功耗外围电路包括自适应写验证（Write-verify）电路，尾码（Tail bit）消除电路，ReRAM 电路刷新机制提高保持（retension）机制，改善读打扰（read disturb）机制。芯片内部同时包括多种纠错算法模型，如BCH 码纠错、汉明码纠错、海思码纠错等。测试结果显示该写电路功能良好，在高阻100k和10k时, 写入成功率接近100%。该芯片可作为新型高速存储器、类脑计算的神经突触应用的核心部件，应用于人工智能的语音识别、图像识别系统解决方案。
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一种非挥发阻变存储器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。 本发明存储器借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。存储器通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
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一种阻变存储器元件及其制备方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
根据目前的研究情况,阻变存储器的制造技术为主要为原子层沉积技术.原子层沉积技术原理是通过化学反应,将物质以单原子膜的形式一层层镀在基底表面的方法,这种技术使得每次化学反应只沉积一层原子。 忆阻存储器是一种新兴的非挥发性存储器，具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。与传统浮栅闪存相比，在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势, 忆阻器具有以下特点：①忆阻器是连续器件，因而存储的精度是无限的；②忆阻器在使用过程中其内部的结构发生变化，因而具有电不易失性；③由于忆阻器是基础元器件，可以方便地将忆阻器设计在电路中，获得混合型的电路，便于使用；④随着忆阻器内部变量变化方式的不同，可以实现数字与模拟两种状态。 阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。随着研究的深入和技术的成熟，忆阻将在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面得到广泛应用。由于其优良的特性，将大大降低生产成本，丰富人类生活，优化生活质量。 成果实施对原材料、设备、厂房、动力、土地、人力……资源、环保、周边环境等方面的要求） 采用真空设备，可以更大程度排除环境对制作阻变存储器的影响。 环境要求，设备存放在15m2大小的空间，需要循环水、220V稳压交流电以及氩气、氧气等气体，温度（室温）、湿度（50%以内）适中。
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基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。
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一种有机阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。 制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。 本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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一种阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；
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一种非挥发性阻变存储器有源集成结构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，第一金属电极作为源极S和位线，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极和作为板线的第三金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型将FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，可省去FET漏电极的制备，LaAlO3薄膜可同时作为FET选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质，可大幅度简化集成器件结构单元，降低器件交叉阵列制备成本和高密度交叉阵列制备工艺。
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一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器，包括底电极、顶电极和电阻转变层，电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜，掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间，掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜，掺杂金属薄膜设置于第一层氧化钒薄膜和第二层氧化钒薄膜之间形成三明治结构。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜。通过掺杂金属薄膜，使得氧化钒阻变材料在施加电压的情况下薄膜中以金属离子运动组合的方式形成导电通道，大幅提升电阻转变的稳定性，并且消除了Forming过程。
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一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用氧化钒薄膜，氧化钒成分为VO x ，其中0.5＜X＜2.5，氧化钒薄膜的厚度为(20-500)纳米；所述底电极为Pt、W、Ti、TiN、Cu或导电金刚石，所述顶电极采用电接触较好的Cu、Ag或Al。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜，且通过退火处理，可以降低基于氧化钒的阻变存储器的Forming电压，得到低的Set、Reset电压，从而可以降低器件的功耗。
找到22项技术成果数据。
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基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。
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基于高速低功耗外围电路以及纠错算法模型的128k 阻变存储器（忆阻器、ReRAM）芯片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
阻变存储器基于0.13µm CMOS混合信号工艺进行实现。针对ReRAM 的结构特点，高速低功耗外围电路包括自适应写验证（Write-verify）电路，尾码（Tail bit）消除电路，ReRAM 电路刷新机制提高保持（retension）机制，改善读打扰（read disturb）机制。芯片内部同时包括多种纠错算法模型，如BCH 码纠错、汉明码纠错、海思码纠错等。测试结果显示该写电路功能良好，在高阻100k和10k时, 写入成功率接近100%。该芯片可作为新型高速存储器、类脑计算的神经突触应用的核心部件，应用于人工智能的语音识别、图像识别系统解决方案。
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一种非挥发阻变存储器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。 本发明存储器借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。存储器通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
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一种阻变存储器元件及其制备方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
根据目前的研究情况,阻变存储器的制造技术为主要为原子层沉积技术.原子层沉积技术原理是通过化学反应,将物质以单原子膜的形式一层层镀在基底表面的方法,这种技术使得每次化学反应只沉积一层原子。 忆阻存储器是一种新兴的非挥发性存储器，具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。与传统浮栅闪存相比，在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势, 忆阻器具有以下特点：①忆阻器是连续器件，因而存储的精度是无限的；②忆阻器在使用过程中其内部的结构发生变化，因而具有电不易失性；③由于忆阻器是基础元器件，可以方便地将忆阻器设计在电路中，获得混合型的电路，便于使用；④随着忆阻器内部变量变化方式的不同，可以实现数字与模拟两种状态。 阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。随着研究的深入和技术的成熟，忆阻将在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面得到广泛应用。由于其优良的特性，将大大降低生产成本，丰富人类生活，优化生活质量。 成果实施对原材料、设备、厂房、动力、土地、人力……资源、环保、周边环境等方面的要求） 采用真空设备，可以更大程度排除环境对制作阻变存储器的影响。 环境要求，设备存放在15m2大小的空间，需要循环水、220V稳压交流电以及氩气、氧气等气体，温度（室温）、湿度（50%以内）适中。
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基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。
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一种有机阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。 制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。 本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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一种阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；
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一种非挥发性阻变存储器有源集成结构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，第一金属电极作为源极S和位线，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极和作为板线的第三金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型将FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，可省去FET漏电极的制备，LaAlO3薄膜可同时作为FET选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质，可大幅度简化集成器件结构单元，降低器件交叉阵列制备成本和高密度交叉阵列制备工艺。
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一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器，包括底电极、顶电极和电阻转变层，电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜，掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间，掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜，掺杂金属薄膜设置于第一层氧化钒薄膜和第二层氧化钒薄膜之间形成三明治结构。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜。通过掺杂金属薄膜，使得氧化钒阻变材料在施加电压的情况下薄膜中以金属离子运动组合的方式形成导电通道，大幅提升电阻转变的稳定性，并且消除了Forming过程。
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一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用氧化钒薄膜，氧化钒成分为VO x ，其中0.5＜X＜2.5，氧化钒薄膜的厚度为(20-500)纳米；所述底电极为Pt、W、Ti、TiN、Cu或导电金刚石，所述顶电极采用电接触较好的Cu、Ag或Al。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜，且通过退火处理，可以降低基于氧化钒的阻变存储器的Forming电压，得到低的Set、Reset电压，从而可以降低器件的功耗。
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基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm、上电极50-200nm；其制备方法中氧化钒薄膜由射频溅射法制备，在氧化钒薄膜上通过磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铝薄膜。本发明的优点是：该阻变存储器采用氧化钒/氧化铝叠层结构，具有两次reset现象，可以获得3个阻态：低阻态、中间阻态和高阻态，每个阻态之间有10倍以上的阻值比；此外还具有良好的保持性和重复性。
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基于高速低功耗外围电路以及纠错算法模型的128k 阻变存储器（忆阻器、ReRAM）芯片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
阻变存储器基于0.13µm CMOS混合信号工艺进行实现。针对ReRAM 的结构特点，高速低功耗外围电路包括自适应写验证（Write-verify）电路，尾码（Tail bit）消除电路，ReRAM 电路刷新机制提高保持（retension）机制，改善读打扰（read disturb）机制。芯片内部同时包括多种纠错算法模型，如BCH 码纠错、汉明码纠错、海思码纠错等。测试结果显示该写电路功能良好，在高阻100k和10k时, 写入成功率接近100%。该芯片可作为新型高速存储器、类脑计算的神经突触应用的核心部件，应用于人工智能的语音识别、图像识别系统解决方案。
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一种非挥发阻变存储器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
本发明公开了一种非挥发阻变存储器，其核心为以超薄铁电薄膜为势垒层的金属/铁电体/半导体铁电隧道结。 本发明存储器借鉴铁电场效应器件的工作机制，采用半导体材料作为电极，提出基于金属/铁电体/半导体铁电隧道结的非挥发阻变存储方案。这一结构中，自发极化翻转调制了铁电体/半导体界面上半导体表面多数载流子浓度，从而实现对结势垒高度和宽度的同时调制。存储器通过电翻转超薄BaTiO3势垒层中铁电极化，成功调制了结电阻，并获得了104以上的ON/OFF阻态比，比当前在金属/铁电体/半导体隧道结中报道的结果高了1-2个数量级。
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一种阻变存储器元件及其制备方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
根据目前的研究情况,阻变存储器的制造技术为主要为原子层沉积技术.原子层沉积技术原理是通过化学反应,将物质以单原子膜的形式一层层镀在基底表面的方法,这种技术使得每次化学反应只沉积一层原子。 忆阻存储器是一种新兴的非挥发性存储器，具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。与传统浮栅闪存相比，在器件结构、速度、可微缩性、三维集成潜力等方面都具有明显的优势, 忆阻器具有以下特点：①忆阻器是连续器件，因而存储的精度是无限的；②忆阻器在使用过程中其内部的结构发生变化，因而具有电不易失性；③由于忆阻器是基础元器件，可以方便地将忆阻器设计在电路中，获得混合型的电路，便于使用；④随着忆阻器内部变量变化方式的不同，可以实现数字与模拟两种状态。 阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一。随着研究的深入和技术的成熟，忆阻将在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面得到广泛应用。由于其优良的特性，将大大降低生产成本，丰富人类生活，优化生活质量。 成果实施对原材料、设备、厂房、动力、土地、人力……资源、环保、周边环境等方面的要求） 采用真空设备，可以更大程度排除环境对制作阻变存储器的影响。 环境要求，设备存放在15m2大小的空间，需要循环水、220V稳压交流电以及氩气、氧气等气体，温度（室温）、湿度（50%以内）适中。
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基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。
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一种有机阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。 制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。 本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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一种阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开一种阻变存储器及其制备方法，所述存储器为依次由下电极、阻变层和上电极组成的叠层结构；所述阻变层依次由上层氧化铝薄膜、氧化铪薄膜和下层氧化铝薄膜构成；所述下电极为氮化钛；该存储制备方法为A）以硅片为衬底，沉积形成下电极TiN；B）在下电极TiN上依次形成下层Al2O3薄膜、HfO2薄膜和上层Al2O3薄膜；
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一种非挥发性阻变存储器有源集成结构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本实用新型涉及存储技术领域，具体地，涉及一种非挥发性阻变存储器有源集成结构。其包括SrTiO3衬底、设于SrTiO3衬底上的LaAlO3薄膜和设于SrTiO3衬底上并穿过LaAlO3薄膜的第一金属电极，第一金属电极作为源极S和位线，LaAlO3薄膜上设置有作为栅极G和字线的第二金属电极和作为板线的第三金属电极，SrTiO3衬底与LaAlO3薄膜的界面之间形成二维电子气。本实用新型将FET选择器的沟道层与阻变存储器的底电极通过二维电子气连接，可省去FET漏电极的制备，LaAlO3薄膜可同时作为FET选择器的介电层和非挥发性阻变存储器的存储介质，可大幅度简化集成器件结构单元，降低器件交叉阵列制备成本和高密度交叉阵列制备工艺。
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一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于掺杂氧化钒薄膜的阻变存储器，包括底电极、顶电极和电阻转变层，电阻转变层为掺杂氧化钒薄膜，掺杂氧化钒薄膜位于底电极和顶电极之间，掺杂氧化钒薄膜包括第一层氧化钒薄膜、掺杂金属薄膜和第二层氧化钒薄膜，掺杂金属薄膜设置于第一层氧化钒薄膜和第二层氧化钒薄膜之间形成三明治结构。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜。通过掺杂金属薄膜，使得氧化钒阻变材料在施加电压的情况下薄膜中以金属离子运动组合的方式形成导电通道，大幅提升电阻转变的稳定性，并且消除了Forming过程。
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一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一种基于氧化钒薄膜的阻变存储器，其器件单元由底电极、阻变存储层和顶电极构成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用氧化钒薄膜，氧化钒成分为VO x ，其中0.5＜X＜2.5，氧化钒薄膜的厚度为(20-500)纳米；所述底电极为Pt、W、Ti、TiN、Cu或导电金刚石，所述顶电极采用电接触较好的Cu、Ag或Al。本发明的优点是：通过本发明能够制备出性能良好的以五氧化二钒为基础的氧化钒混合相多晶薄膜，且通过退火处理，可以降低基于氧化钒的阻变存储器的Forming电压，得到低的Set、Reset电压，从而可以降低器件的功耗。