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专利基本信息
专利名称 ,环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法,
专利状态 - 专利号（申请号） CN101470347
专利申请日期 2007-12-26 专利类型 发明专利
申请公布号 CN200710304255.7 申请公布日 2007-12-26
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 王颖,韩伟华,杨香,张杨,杨富华
专利权人 中国科学院半导体研究所
专利摘要 本发明是一种环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法。包括：使 用清洗液清洗SOI材料称底；在SOI称底上甩电子束胶,并进行前烘； 以设计版图为掩模,进行电子束曝光；通过剂量补偿的方法对版图进行修 正,消除图形进行电子束曝光时会受邻近效应的影响导致的曝光图形大小 不一致；进行显影和定影,并进行后烘,形成环形阵列结构；刻蚀SOI 材料的顶层硅,形成环形空气孔状阵列结构,孔中间为硅柱,完成二维光 子晶体的制作。本发明实现了纳米量级的环形结构的制作工艺,该光子晶 体结构在高频段出现了禁带,实现了制备具有高频段禁带的新型光子晶体 结构。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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