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专利基本信息
专利名称 一种三维纳米天线阵列的制备方法
专利状态 - 专利号(申请号) CN110265793B
专利申请日期 2019-06-05 专利类型 发明专利
申请公布号 2019104861445 申请公布日 2019-06-05
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 吴文刚;陈小瑜;金生霄
专利权人 北京大学
专利摘要 本发明公开了一种三维纳米天线阵列的制备方法,属于微米/纳米加工技术领域。该方法利用绘制的二维展开阵列图形及三维转换图形;先在悬浮薄膜上应用FIB刻蚀出纳米天线二维阵列结构;然后再应用FIB‑SID技术,根据三维转换图形使前述结构转换成三维阵列结构。本发明采用的FIB‑SID技术制备纳米天线阵列,工艺方法简单、稳定并且对材料的适用性好,可实现高效率大规模三维阵列结构加工,推进了大规模三维超材料器件化的研究和应用。
专利价值评估分析
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