专利基本信息
| 专利名称 | 一种三维纳米天线阵列的制备方法 | ||
|---|---|---|---|
| 专利状态 | - | 专利号(申请号) | CN110265793B |
| 专利申请日期 | 2019-06-05 | 专利类型 | 发明专利 |
| 申请公布号 | 2019104861445 | 申请公布日 | 2019-06-05 |
| 授权公告号 | - | 授权公告日 | - |
| 发明人 | 吴文刚;陈小瑜;金生霄 | ||
| 专利权人 | 北京大学 | ||
| 专利摘要 | 本发明公开了一种三维纳米天线阵列的制备方法,属于微米/纳米加工技术领域。该方法利用绘制的二维展开阵列图形及三维转换图形;先在悬浮薄膜上应用FIB刻蚀出纳米天线二维阵列结构;然后再应用FIB‑SID技术,根据三维转换图形使前述结构转换成三维阵列结构。本发明采用的FIB‑SID技术制备纳米天线阵列,工艺方法简单、稳定并且对材料的适用性好,可实现高效率大规模三维阵列结构加工,推进了大规模三维超材料器件化的研究和应用。 | ||
专利价值评估分析
专利价值评估分析
样例
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