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专利基本信息
专利名称 硅/二维半导体异质结型光电探测器及制备方法
专利状态 - 专利号（申请号） CN107611215B
专利申请日期 2017-04-11 专利类型 发明专利
申请公布号 2017102324530 申请公布日 2017-04-11
授权公告号 - 授权公告日 -
发明人 李春;王帅;兰长勇;何天应;郭华阳
专利权人 电子科技大学
专利摘要 本发明公开了一种硅/二维半导体异质结型光电探测器及制备方法。该光电探测器由下至上依次层叠的硅材料层、绝缘介质层、二维半导体材料层和金属电极;绝缘介质层中心开有通孔,二维半导体材料通过通孔与硅材料形成异质结,通过结区电流变化检测外界光的变化。该光电检测器制备方法简单,其制备过程均与半导体工艺兼容,适合大规模工业生产;制得的光电检测器拥有硅基易集成的特点,结构简单,可控性强,同时具有光响应度高、响应速度快的特点,对可见光的响应度优于普通的硅光探测器件,光探测响应时间为微妙量级。
专利价值评估分析
专利价值评估分析 样例
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