找到23项技术成果数据。
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倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：本实用新型公开了一种在倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构，在拾片位置和粘片位置所决定的倾斜平面内，布置平行四边形的摆臂机构，固定在机架上的摆臂电机通过曲柄连杆驱动该摆臂机构，使吸头保持平行移动，实现传送晶片的动作；摆动的两个极限位置，就是焊头所需的拾片和粘片位置；吸头电机固定在机架上，通过平行四边形的吸头连杆机构和空间凸轮，使吸头相对平移梁上下移动，完成拾取晶片和粘焊晶片的动作；技术的应用领域前景分析：该焊头机构没有大行程直线传动机构，两个电机都不移动，特别适合高速、大尺寸晶圆的粘片机使用。效益分析：本技术市场应用范围广，成本低，利润高，效益可观。厂房条件建议：无备注：无
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0.5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。生产条件：资金100万元左右，厂房150m2,人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。市场预测：碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大.利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。推广方式：技术转让
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介： 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0。5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件： 资金100万元左右，厂房150m2，人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。 市场预测： 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。
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一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种精准制备LED芯片反射层的方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
技术投资分析：成果简介IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统，集光、机、电等多专业领域的先进技术于一体，综合应用计算机视觉技术、数字图像处理、人工智能、光学缺陷检测技术、数据库和先进的算法，可实现无图形、有图形硅片的表面缺陷分析和自动快速检测及关键尺寸（CD）的精密标定。系统采用了上下两级控制模式，应用光栅扫描控制策略，实现光学显微镜数控工作台的实时运动控制和自适应定位；采用非遍历显微图像采集策略，实现IC晶片显微图像的快速采集；自动分析软件能够实现IC晶片表面冗余物的有效提取，短路和开路电气连接错误局部缺陷的自动检测，引线孔的自动识别和尺寸的精密测量，并具有参数数据库管理功能。技术的应用领域前景分析：成果适用范围及市场预测:专用于IC晶片质量检测的形貌检测，适合IC晶片生产厂家和科研院所的产品检验、验收。效益分析：系统具有检测精度高、速度快、性能优异、稳定性好的特点。厂房条件建议：无备注：无
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钒酸钇单晶片的批量加工工艺
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
钒酸钇单晶片的批量加工工艺，用X射线定向仪对钒酸钇单晶材料定向，用蜡把钒酸钇单晶材料固定好，用切割机切出钒酸钇晶片；选用窄于钒酸钇单晶片厚度的玻璃条，把所要上盘的晶片和玻璃条均匀涂上蜡，玻璃条摆成许多小方格，把晶片放入小方格中；用磨棒在晶片之间的沟滑动；在二轴机或四轴上用W20的金刚砂进行粗磨，用W7的金刚砂进行精磨，再进行抛光。先用氧化铈进行初抛，再用SiO 2 14—16%、Na0.3%、其它杂质0.01%、其余量为水的抛光液精抛。形成了整体上盘，整体倒角，解决了倒角难题，大幅度降低产品成本，大大提高产品的质量和生产效率。
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第三代宽带隙半导体材料-氮化镓（GaN)晶片
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光； 四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面； 五、高结晶度氮化镓粉体材料； 六、氮化铝衬底。
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一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
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CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。
找到23项技术成果数据。
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倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：本实用新型公开了一种在倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构，在拾片位置和粘片位置所决定的倾斜平面内，布置平行四边形的摆臂机构，固定在机架上的摆臂电机通过曲柄连杆驱动该摆臂机构，使吸头保持平行移动，实现传送晶片的动作；摆动的两个极限位置，就是焊头所需的拾片和粘片位置；吸头电机固定在机架上，通过平行四边形的吸头连杆机构和空间凸轮，使吸头相对平移梁上下移动，完成拾取晶片和粘焊晶片的动作；技术的应用领域前景分析：该焊头机构没有大行程直线传动机构，两个电机都不移动，特别适合高速、大尺寸晶圆的粘片机使用。效益分析：本技术市场应用范围广，成本低，利润高，效益可观。厂房条件建议：无备注：无
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0.5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。生产条件：资金100万元左右，厂房150m2,人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。市场预测：碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大.利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。推广方式：技术转让
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介： 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0。5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件： 资金100万元左右，厂房150m2，人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。 市场预测： 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。
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一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种精准制备LED芯片反射层的方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
技术投资分析：成果简介IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统，集光、机、电等多专业领域的先进技术于一体，综合应用计算机视觉技术、数字图像处理、人工智能、光学缺陷检测技术、数据库和先进的算法，可实现无图形、有图形硅片的表面缺陷分析和自动快速检测及关键尺寸（CD）的精密标定。系统采用了上下两级控制模式，应用光栅扫描控制策略，实现光学显微镜数控工作台的实时运动控制和自适应定位；采用非遍历显微图像采集策略，实现IC晶片显微图像的快速采集；自动分析软件能够实现IC晶片表面冗余物的有效提取，短路和开路电气连接错误局部缺陷的自动检测，引线孔的自动识别和尺寸的精密测量，并具有参数数据库管理功能。技术的应用领域前景分析：成果适用范围及市场预测:专用于IC晶片质量检测的形貌检测，适合IC晶片生产厂家和科研院所的产品检验、验收。效益分析：系统具有检测精度高、速度快、性能优异、稳定性好的特点。厂房条件建议：无备注：无
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钒酸钇单晶片的批量加工工艺
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
钒酸钇单晶片的批量加工工艺，用X射线定向仪对钒酸钇单晶材料定向，用蜡把钒酸钇单晶材料固定好，用切割机切出钒酸钇晶片；选用窄于钒酸钇单晶片厚度的玻璃条，把所要上盘的晶片和玻璃条均匀涂上蜡，玻璃条摆成许多小方格，把晶片放入小方格中；用磨棒在晶片之间的沟滑动；在二轴机或四轴上用W20的金刚砂进行粗磨，用W7的金刚砂进行精磨，再进行抛光。先用氧化铈进行初抛，再用SiO 2 14—16%、Na0.3%、其它杂质0.01%、其余量为水的抛光液精抛。形成了整体上盘，整体倒角，解决了倒角难题，大幅度降低产品成本，大大提高产品的质量和生产效率。
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第三代宽带隙半导体材料-氮化镓（GaN)晶片
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光； 四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面； 五、高结晶度氮化镓粉体材料； 六、氮化铝衬底。
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一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
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CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。
找到23项技术成果数据。
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倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：本实用新型公开了一种在倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构，在拾片位置和粘片位置所决定的倾斜平面内，布置平行四边形的摆臂机构，固定在机架上的摆臂电机通过曲柄连杆驱动该摆臂机构，使吸头保持平行移动，实现传送晶片的动作；摆动的两个极限位置，就是焊头所需的拾片和粘片位置；吸头电机固定在机架上，通过平行四边形的吸头连杆机构和空间凸轮，使吸头相对平移梁上下移动，完成拾取晶片和粘焊晶片的动作；技术的应用领域前景分析：该焊头机构没有大行程直线传动机构，两个电机都不移动，特别适合高速、大尺寸晶圆的粘片机使用。效益分析：本技术市场应用范围广，成本低，利润高，效益可观。厂房条件建议：无备注：无
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0.5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。生产条件：资金100万元左右，厂房150m2,人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。市场预测：碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大.利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。推广方式：技术转让
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碳化硅晶片
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技术简介
碳化硅晶片项目简介： 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0。5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件： 资金100万元左右，厂房150m2，人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。 市场预测： 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。
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一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种精准制备LED芯片反射层的方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
技术投资分析：成果简介IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统，集光、机、电等多专业领域的先进技术于一体，综合应用计算机视觉技术、数字图像处理、人工智能、光学缺陷检测技术、数据库和先进的算法，可实现无图形、有图形硅片的表面缺陷分析和自动快速检测及关键尺寸（CD）的精密标定。系统采用了上下两级控制模式，应用光栅扫描控制策略，实现光学显微镜数控工作台的实时运动控制和自适应定位；采用非遍历显微图像采集策略，实现IC晶片显微图像的快速采集；自动分析软件能够实现IC晶片表面冗余物的有效提取，短路和开路电气连接错误局部缺陷的自动检测，引线孔的自动识别和尺寸的精密测量，并具有参数数据库管理功能。技术的应用领域前景分析：成果适用范围及市场预测:专用于IC晶片质量检测的形貌检测，适合IC晶片生产厂家和科研院所的产品检验、验收。效益分析：系统具有检测精度高、速度快、性能优异、稳定性好的特点。厂房条件建议：无备注：无
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钒酸钇单晶片的批量加工工艺
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
钒酸钇单晶片的批量加工工艺，用X射线定向仪对钒酸钇单晶材料定向，用蜡把钒酸钇单晶材料固定好，用切割机切出钒酸钇晶片；选用窄于钒酸钇单晶片厚度的玻璃条，把所要上盘的晶片和玻璃条均匀涂上蜡，玻璃条摆成许多小方格，把晶片放入小方格中；用磨棒在晶片之间的沟滑动；在二轴机或四轴上用W20的金刚砂进行粗磨，用W7的金刚砂进行精磨，再进行抛光。先用氧化铈进行初抛，再用SiO 2 14—16%、Na0.3%、其它杂质0.01%、其余量为水的抛光液精抛。形成了整体上盘，整体倒角，解决了倒角难题，大幅度降低产品成本，大大提高产品的质量和生产效率。
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第三代宽带隙半导体材料-氮化镓（GaN)晶片
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光； 四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面； 五、高结晶度氮化镓粉体材料； 六、氮化铝衬底。
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一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
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CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。
找到23项技术成果数据。
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倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：本实用新型公开了一种在倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构，在拾片位置和粘片位置所决定的倾斜平面内，布置平行四边形的摆臂机构，固定在机架上的摆臂电机通过曲柄连杆驱动该摆臂机构，使吸头保持平行移动，实现传送晶片的动作；摆动的两个极限位置，就是焊头所需的拾片和粘片位置；吸头电机固定在机架上，通过平行四边形的吸头连杆机构和空间凸轮，使吸头相对平移梁上下移动，完成拾取晶片和粘焊晶片的动作；技术的应用领域前景分析：该焊头机构没有大行程直线传动机构，两个电机都不移动，特别适合高速、大尺寸晶圆的粘片机使用。效益分析：本技术市场应用范围广，成本低，利润高，效益可观。厂房条件建议：无备注：无
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0.5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。生产条件：资金100万元左右，厂房150m2,人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。市场预测：碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大.利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。推广方式：技术转让
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介： 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0。5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件： 资金100万元左右，厂房150m2，人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。 市场预测： 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。
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一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种精准制备LED芯片反射层的方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
技术投资分析：成果简介IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统，集光、机、电等多专业领域的先进技术于一体，综合应用计算机视觉技术、数字图像处理、人工智能、光学缺陷检测技术、数据库和先进的算法，可实现无图形、有图形硅片的表面缺陷分析和自动快速检测及关键尺寸（CD）的精密标定。系统采用了上下两级控制模式，应用光栅扫描控制策略，实现光学显微镜数控工作台的实时运动控制和自适应定位；采用非遍历显微图像采集策略，实现IC晶片显微图像的快速采集；自动分析软件能够实现IC晶片表面冗余物的有效提取，短路和开路电气连接错误局部缺陷的自动检测，引线孔的自动识别和尺寸的精密测量，并具有参数数据库管理功能。技术的应用领域前景分析：成果适用范围及市场预测:专用于IC晶片质量检测的形貌检测，适合IC晶片生产厂家和科研院所的产品检验、验收。效益分析：系统具有检测精度高、速度快、性能优异、稳定性好的特点。厂房条件建议：无备注：无
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钒酸钇单晶片的批量加工工艺
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
钒酸钇单晶片的批量加工工艺，用X射线定向仪对钒酸钇单晶材料定向，用蜡把钒酸钇单晶材料固定好，用切割机切出钒酸钇晶片；选用窄于钒酸钇单晶片厚度的玻璃条，把所要上盘的晶片和玻璃条均匀涂上蜡，玻璃条摆成许多小方格，把晶片放入小方格中；用磨棒在晶片之间的沟滑动；在二轴机或四轴上用W20的金刚砂进行粗磨，用W7的金刚砂进行精磨，再进行抛光。先用氧化铈进行初抛，再用SiO 2 14—16%、Na0.3%、其它杂质0.01%、其余量为水的抛光液精抛。形成了整体上盘，整体倒角，解决了倒角难题，大幅度降低产品成本，大大提高产品的质量和生产效率。
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第三代宽带隙半导体材料-氮化镓（GaN)晶片
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光； 四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面； 五、高结晶度氮化镓粉体材料； 六、氮化铝衬底。
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一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
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CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。
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倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：本实用新型公开了一种在倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构，在拾片位置和粘片位置所决定的倾斜平面内，布置平行四边形的摆臂机构，固定在机架上的摆臂电机通过曲柄连杆驱动该摆臂机构，使吸头保持平行移动，实现传送晶片的动作；摆动的两个极限位置，就是焊头所需的拾片和粘片位置；吸头电机固定在机架上，通过平行四边形的吸头连杆机构和空间凸轮，使吸头相对平移梁上下移动，完成拾取晶片和粘焊晶片的动作；技术的应用领域前景分析：该焊头机构没有大行程直线传动机构，两个电机都不移动，特别适合高速、大尺寸晶圆的粘片机使用。效益分析：本技术市场应用范围广，成本低，利润高，效益可观。厂房条件建议：无备注：无
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0.5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。生产条件：资金100万元左右，厂房150m2,人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。市场预测：碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大.利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。推广方式：技术转让
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介： 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0。5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件： 资金100万元左右，厂房150m2，人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。 市场预测： 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。
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一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种精准制备LED芯片反射层的方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
技术投资分析：成果简介IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统，集光、机、电等多专业领域的先进技术于一体，综合应用计算机视觉技术、数字图像处理、人工智能、光学缺陷检测技术、数据库和先进的算法，可实现无图形、有图形硅片的表面缺陷分析和自动快速检测及关键尺寸（CD）的精密标定。系统采用了上下两级控制模式，应用光栅扫描控制策略，实现光学显微镜数控工作台的实时运动控制和自适应定位；采用非遍历显微图像采集策略，实现IC晶片显微图像的快速采集；自动分析软件能够实现IC晶片表面冗余物的有效提取，短路和开路电气连接错误局部缺陷的自动检测，引线孔的自动识别和尺寸的精密测量，并具有参数数据库管理功能。技术的应用领域前景分析：成果适用范围及市场预测:专用于IC晶片质量检测的形貌检测，适合IC晶片生产厂家和科研院所的产品检验、验收。效益分析：系统具有检测精度高、速度快、性能优异、稳定性好的特点。厂房条件建议：无备注：无
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钒酸钇单晶片的批量加工工艺
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
钒酸钇单晶片的批量加工工艺，用X射线定向仪对钒酸钇单晶材料定向，用蜡把钒酸钇单晶材料固定好，用切割机切出钒酸钇晶片；选用窄于钒酸钇单晶片厚度的玻璃条，把所要上盘的晶片和玻璃条均匀涂上蜡，玻璃条摆成许多小方格，把晶片放入小方格中；用磨棒在晶片之间的沟滑动；在二轴机或四轴上用W20的金刚砂进行粗磨，用W7的金刚砂进行精磨，再进行抛光。先用氧化铈进行初抛，再用SiO 2 14—16%、Na0.3%、其它杂质0.01%、其余量为水的抛光液精抛。形成了整体上盘，整体倒角，解决了倒角难题，大幅度降低产品成本，大大提高产品的质量和生产效率。
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第三代宽带隙半导体材料-氮化镓（GaN)晶片
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光； 四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面； 五、高结晶度氮化镓粉体材料； 六、氮化铝衬底。
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一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
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CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。
找到23项技术成果数据。
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倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：本实用新型公开了一种在倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构，在拾片位置和粘片位置所决定的倾斜平面内，布置平行四边形的摆臂机构，固定在机架上的摆臂电机通过曲柄连杆驱动该摆臂机构，使吸头保持平行移动，实现传送晶片的动作；摆动的两个极限位置，就是焊头所需的拾片和粘片位置；吸头电机固定在机架上，通过平行四边形的吸头连杆机构和空间凸轮，使吸头相对平移梁上下移动，完成拾取晶片和粘焊晶片的动作；技术的应用领域前景分析：该焊头机构没有大行程直线传动机构，两个电机都不移动，特别适合高速、大尺寸晶圆的粘片机使用。效益分析：本技术市场应用范围广，成本低，利润高，效益可观。厂房条件建议：无备注：无
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0.5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。生产条件：资金100万元左右，厂房150m2,人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。市场预测：碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大.利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。推广方式：技术转让
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介： 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0。5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件： 资金100万元左右，厂房150m2，人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。 市场预测： 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。
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一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种精准制备LED芯片反射层的方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
技术投资分析：成果简介IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统，集光、机、电等多专业领域的先进技术于一体，综合应用计算机视觉技术、数字图像处理、人工智能、光学缺陷检测技术、数据库和先进的算法，可实现无图形、有图形硅片的表面缺陷分析和自动快速检测及关键尺寸（CD）的精密标定。系统采用了上下两级控制模式，应用光栅扫描控制策略，实现光学显微镜数控工作台的实时运动控制和自适应定位；采用非遍历显微图像采集策略，实现IC晶片显微图像的快速采集；自动分析软件能够实现IC晶片表面冗余物的有效提取，短路和开路电气连接错误局部缺陷的自动检测，引线孔的自动识别和尺寸的精密测量，并具有参数数据库管理功能。技术的应用领域前景分析：成果适用范围及市场预测:专用于IC晶片质量检测的形貌检测，适合IC晶片生产厂家和科研院所的产品检验、验收。效益分析：系统具有检测精度高、速度快、性能优异、稳定性好的特点。厂房条件建议：无备注：无
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钒酸钇单晶片的批量加工工艺
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
钒酸钇单晶片的批量加工工艺，用X射线定向仪对钒酸钇单晶材料定向，用蜡把钒酸钇单晶材料固定好，用切割机切出钒酸钇晶片；选用窄于钒酸钇单晶片厚度的玻璃条，把所要上盘的晶片和玻璃条均匀涂上蜡，玻璃条摆成许多小方格，把晶片放入小方格中；用磨棒在晶片之间的沟滑动；在二轴机或四轴上用W20的金刚砂进行粗磨，用W7的金刚砂进行精磨，再进行抛光。先用氧化铈进行初抛，再用SiO 2 14—16%、Na0.3%、其它杂质0.01%、其余量为水的抛光液精抛。形成了整体上盘，整体倒角，解决了倒角难题，大幅度降低产品成本，大大提高产品的质量和生产效率。
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第三代宽带隙半导体材料-氮化镓（GaN)晶片
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光； 四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面； 五、高结晶度氮化镓粉体材料； 六、氮化铝衬底。
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一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
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CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。
找到23项技术成果数据。
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倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：本实用新型公开了一种在倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构，在拾片位置和粘片位置所决定的倾斜平面内，布置平行四边形的摆臂机构，固定在机架上的摆臂电机通过曲柄连杆驱动该摆臂机构，使吸头保持平行移动，实现传送晶片的动作；摆动的两个极限位置，就是焊头所需的拾片和粘片位置；吸头电机固定在机架上，通过平行四边形的吸头连杆机构和空间凸轮，使吸头相对平移梁上下移动，完成拾取晶片和粘焊晶片的动作；技术的应用领域前景分析：该焊头机构没有大行程直线传动机构，两个电机都不移动，特别适合高速、大尺寸晶圆的粘片机使用。效益分析：本技术市场应用范围广，成本低，利润高，效益可观。厂房条件建议：无备注：无
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0.5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。生产条件：资金100万元左右，厂房150m2,人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。市场预测：碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大.利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。推广方式：技术转让
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介： 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0。5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件： 资金100万元左右，厂房150m2，人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。 市场预测： 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。
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一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种精准制备LED芯片反射层的方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
技术投资分析：成果简介IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统，集光、机、电等多专业领域的先进技术于一体，综合应用计算机视觉技术、数字图像处理、人工智能、光学缺陷检测技术、数据库和先进的算法，可实现无图形、有图形硅片的表面缺陷分析和自动快速检测及关键尺寸（CD）的精密标定。系统采用了上下两级控制模式，应用光栅扫描控制策略，实现光学显微镜数控工作台的实时运动控制和自适应定位；采用非遍历显微图像采集策略，实现IC晶片显微图像的快速采集；自动分析软件能够实现IC晶片表面冗余物的有效提取，短路和开路电气连接错误局部缺陷的自动检测，引线孔的自动识别和尺寸的精密测量，并具有参数数据库管理功能。技术的应用领域前景分析：成果适用范围及市场预测:专用于IC晶片质量检测的形貌检测，适合IC晶片生产厂家和科研院所的产品检验、验收。效益分析：系统具有检测精度高、速度快、性能优异、稳定性好的特点。厂房条件建议：无备注：无
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钒酸钇单晶片的批量加工工艺
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
钒酸钇单晶片的批量加工工艺，用X射线定向仪对钒酸钇单晶材料定向，用蜡把钒酸钇单晶材料固定好，用切割机切出钒酸钇晶片；选用窄于钒酸钇单晶片厚度的玻璃条，把所要上盘的晶片和玻璃条均匀涂上蜡，玻璃条摆成许多小方格，把晶片放入小方格中；用磨棒在晶片之间的沟滑动；在二轴机或四轴上用W20的金刚砂进行粗磨，用W7的金刚砂进行精磨，再进行抛光。先用氧化铈进行初抛，再用SiO 2 14—16%、Na0.3%、其它杂质0.01%、其余量为水的抛光液精抛。形成了整体上盘，整体倒角，解决了倒角难题，大幅度降低产品成本，大大提高产品的质量和生产效率。
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第三代宽带隙半导体材料-氮化镓（GaN)晶片
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光； 四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面； 五、高结晶度氮化镓粉体材料； 六、氮化铝衬底。
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一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
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CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。
找到23项技术成果数据。
找技术>-
倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：本实用新型公开了一种在倾斜平面内摆动平移式的粘片机焊头机构，在拾片位置和粘片位置所决定的倾斜平面内，布置平行四边形的摆臂机构，固定在机架上的摆臂电机通过曲柄连杆驱动该摆臂机构，使吸头保持平行移动，实现传送晶片的动作；摆动的两个极限位置，就是焊头所需的拾片和粘片位置；吸头电机固定在机架上，通过平行四边形的吸头连杆机构和空间凸轮，使吸头相对平移梁上下移动，完成拾取晶片和粘焊晶片的动作；技术的应用领域前景分析：该焊头机构没有大行程直线传动机构，两个电机都不移动，特别适合高速、大尺寸晶圆的粘片机使用。效益分析：本技术市场应用范围广，成本低，利润高，效益可观。厂房条件建议：无备注：无
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0.5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。生产条件：资金100万元左右，厂房150m2,人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。市场预测：碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大.利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。推广方式：技术转让
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碳化硅晶片
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：建筑业
技术简介
碳化硅晶片项目简介： 碳化硅晶片是一种微细的片状单晶体，直径一般为3-300μm，厚度0。5-15μm。与晶须相比，晶片的优点是价格较低、纯度高、热稳定性好和缺陷少，具有很好的分散性和流动性，更易均匀分散于基体中，复合材料中可以有很高的加入量（10-70%），且与基体复合的效果优于球状粒子，因而晶片被认为是晶须最具吸引力的替代物。 生产条件： 资金100万元左右，厂房150m2，人员20人，可年产碳化硅晶片1吨，产值300万元，利税200万元左右，投产一年内可收回投资。 市场预测： 碳化硅晶片是制备陶瓷基、金属基复合材料的原料。国际市场很大，国内市场有待开发，潜力很大。利润高、市场及后续产品市场大，推广应用前景非常广阔。
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一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种精准制备LED芯片反射层的方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
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IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
技术投资分析：成果简介IC晶片显微自动缺陷分析和检测系统，集光、机、电等多专业领域的先进技术于一体，综合应用计算机视觉技术、数字图像处理、人工智能、光学缺陷检测技术、数据库和先进的算法，可实现无图形、有图形硅片的表面缺陷分析和自动快速检测及关键尺寸（CD）的精密标定。系统采用了上下两级控制模式，应用光栅扫描控制策略，实现光学显微镜数控工作台的实时运动控制和自适应定位；采用非遍历显微图像采集策略，实现IC晶片显微图像的快速采集；自动分析软件能够实现IC晶片表面冗余物的有效提取，短路和开路电气连接错误局部缺陷的自动检测，引线孔的自动识别和尺寸的精密测量，并具有参数数据库管理功能。技术的应用领域前景分析：成果适用范围及市场预测:专用于IC晶片质量检测的形貌检测，适合IC晶片生产厂家和科研院所的产品检验、验收。效益分析：系统具有检测精度高、速度快、性能优异、稳定性好的特点。厂房条件建议：无备注：无
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钒酸钇单晶片的批量加工工艺
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
钒酸钇单晶片的批量加工工艺，用X射线定向仪对钒酸钇单晶材料定向，用蜡把钒酸钇单晶材料固定好，用切割机切出钒酸钇晶片；选用窄于钒酸钇单晶片厚度的玻璃条，把所要上盘的晶片和玻璃条均匀涂上蜡，玻璃条摆成许多小方格，把晶片放入小方格中；用磨棒在晶片之间的沟滑动；在二轴机或四轴上用W20的金刚砂进行粗磨，用W7的金刚砂进行精磨，再进行抛光。先用氧化铈进行初抛，再用SiO 2 14—16%、Na0.3%、其它杂质0.01%、其余量为水的抛光液精抛。形成了整体上盘，整体倒角，解决了倒角难题，大幅度降低产品成本，大大提高产品的质量和生产效率。
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第三代宽带隙半导体材料-氮化镓（GaN)晶片
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
一、15～50微米厚度的2英寸GaN厚膜衬底(GaN/sapphire)，位错密度为107/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 二、2英寸氮化镓自支撑衬底(free-standing GaN substrate)，厚度约0.3mm，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型； 三、小尺寸方形(边长5mm～20mm)氮化镓衬底，位错腐蚀坑密度为106/cm2量级，分为n型掺杂、非掺杂和半绝缘三种类型，单面或者双面抛光； 四、小尺寸非极性面氮化镓衬底，a面或者m面； 五、高结晶度氮化镓粉体材料； 六、氮化铝衬底。
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一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
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CdSiP2晶体的腐蚀剂与腐蚀方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀剂，由溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水配制而成，溴素、甲醇、硝酸、盐酸和纯净水的体积比为：溴素:甲醇:硝酸:盐酸:纯净水＝(0.003～0.005):2:4:4:2。本发明所述CdSiP2晶体的腐蚀方法，使用上述腐蚀剂，步骤依次如下：(1)将抛光、清洗、干燥处理后的CdSiP2晶片浸入腐蚀剂中，在常压、室温下超声振荡腐蚀5～10分钟取出；(2)将从腐蚀剂中取出的CdSiP2晶片浸入质量浓度为5％的NaOH溶液中清洗以终止反应，再用纯净水清洗至中性；(3)将清洗后的CdSiP2晶片在常压下自然干燥或烘干。使用上述腐蚀剂和腐蚀方法对CdSiP2晶体进行腐蚀具有很好的择优腐蚀性，腐蚀后的CdSiP2晶片在扫描电镜下可以清晰地显示出某一晶面的腐蚀坑形貌。