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一种Ta3N5薄膜的制备方法及Ta3N5薄膜的应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种Ta3N5薄膜的制备方法，采用金属Ta片先化学腐蚀再氧化氮化的方法制备Ta3N5薄膜。本发明还公开了制备的Ta3N5薄膜的应用，将该Ta3N5薄膜作为光阳极用于太阳能分解水制氢。本发明通过化学腐蚀的引入一方面消除了金属Ta表面的富氧层，从而减少了最终制备的Ta3N5薄膜表面的载流子复合中心，减少了光生载流子表面复合；另一方面腐蚀造成金属Ta表面粗糙度增加，从而增加了最终制备的Ta3N5薄膜的表面粗糙度和比表面积，增大了电解液和Ta3N5薄膜的接触面积。本发明提高了Ta3N5薄膜的光吸收效率、光生载流子分离效率及载流子传输效率，Ta3N5光阳极的光电流及量子转化效率均有大幅提高。
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高速LED光通信调制器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高速LED光通信调制器，包括控制单元和可变供电单元，所述可变供电单元为可正负方向切换的能量供应单元；控制单元产生开关和时序控制信号，以驱动可变供电单元为LED供电；时序控制信号用于通过时序控制来降低能带弯曲，以提高载流子辐射复合；当可变供电单元正向供电时，LED开通，同时使载流子过注入；当可变供电单元反向供电时，LED关断，同时使载流子反向注入。还包括用于进一步加速关断的泄放通路。本发明通过控制对开通时的载流子过注入以及关断时的载流子反向注入，提高了载流子的复合速率，使得开关速度大幅度提高；通过辅助的泄放通路进一步加速关断；通过时序控制降低能带弯曲，提高载流子辐射复合。
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近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法，从上至下依次包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层、栅极和基底；其中，所述半导体层由ZnO制成，所述浮栅层由上转换荧光纳米颗粒制成。本发明利用上转换荧光纳米颗粒在近红外光作用下发出紫外光，ZnO半导体吸收紫外光产生载流子，在电场作用下，产生的载流子被捕获在浮栅层中。在这个过程中，近红外光间接增加了可被捕获的载流子数目，有效增强了存储器存储窗口并且实现了多比特存储。同时，本发明利用价格低廉的ZnO作为存储器半导体层，显著降低了存储器价格。相比传统晶体管型存储器，本发明所述的存储器不仅性能可以明显提高，成本也显著降低。
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一种过剩光载流子频谱分析仪
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：科学研究和技术服务业
技术简介
本发明公开了一种过剩光载流子频谱分析仪。其特征在于：（1）包括从左至右顺次排列的检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜、光电探测器阵列、扫描驱动器、振镜和激发光光源；（2）检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜和光探测器阵列设置在同一光轴上，所述激发光光源经振镜的反射光入射到所述硅片上，该入射光与检测光光源经过光束整形器的扁平光束在同一下面内，所述扫面驱动器与振镜连接并驱动振镜周期性转动，待检测的射频信号加到偏电压上来调制所述激发光光源；（3）所述激发光光源的光子能量大于硅片的禁带宽度，所述检测光光源光子能量小于硅片的禁带宽度。200710049540.9
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一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
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利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明为一种利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法，用于光学通信领域。该方法利用脉冲激光光源在半导体材料的表面形成明暗相间的干涉或者衍射条纹，产生瞬态载流子光栅，采集经过光栅的衍射光实现信号的测量。本发明的方法实现了对半导体器件任何部位的信号采集与测量，该过程无需将受测部位单独拿出，同时不会对器件造成损伤。此外，利用载流子的迁移与复合所导致载流子光栅会不断变化直至平衡的特性，通过测量信号光受载流子光栅的影响可以计算出材料的载流子迁移率与载流子寿命。
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一种Ta3N5薄膜的制备方法及Ta3N5薄膜的应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种Ta3N5薄膜的制备方法，采用金属Ta片先化学腐蚀再氧化氮化的方法制备Ta3N5薄膜。本发明还公开了制备的Ta3N5薄膜的应用，将该Ta3N5薄膜作为光阳极用于太阳能分解水制氢。本发明通过化学腐蚀的引入一方面消除了金属Ta表面的富氧层，从而减少了最终制备的Ta3N5薄膜表面的载流子复合中心，减少了光生载流子表面复合；另一方面腐蚀造成金属Ta表面粗糙度增加，从而增加了最终制备的Ta3N5薄膜的表面粗糙度和比表面积，增大了电解液和Ta3N5薄膜的接触面积。本发明提高了Ta3N5薄膜的光吸收效率、光生载流子分离效率及载流子传输效率，Ta3N5光阳极的光电流及量子转化效率均有大幅提高。
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高速LED光通信调制器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高速LED光通信调制器，包括控制单元和可变供电单元，所述可变供电单元为可正负方向切换的能量供应单元；控制单元产生开关和时序控制信号，以驱动可变供电单元为LED供电；时序控制信号用于通过时序控制来降低能带弯曲，以提高载流子辐射复合；当可变供电单元正向供电时，LED开通，同时使载流子过注入；当可变供电单元反向供电时，LED关断，同时使载流子反向注入。还包括用于进一步加速关断的泄放通路。本发明通过控制对开通时的载流子过注入以及关断时的载流子反向注入，提高了载流子的复合速率，使得开关速度大幅度提高；通过辅助的泄放通路进一步加速关断；通过时序控制降低能带弯曲，提高载流子辐射复合。
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近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法，从上至下依次包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层、栅极和基底；其中，所述半导体层由ZnO制成，所述浮栅层由上转换荧光纳米颗粒制成。本发明利用上转换荧光纳米颗粒在近红外光作用下发出紫外光，ZnO半导体吸收紫外光产生载流子，在电场作用下，产生的载流子被捕获在浮栅层中。在这个过程中，近红外光间接增加了可被捕获的载流子数目，有效增强了存储器存储窗口并且实现了多比特存储。同时，本发明利用价格低廉的ZnO作为存储器半导体层，显著降低了存储器价格。相比传统晶体管型存储器，本发明所述的存储器不仅性能可以明显提高，成本也显著降低。
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一种过剩光载流子频谱分析仪
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：科学研究和技术服务业
技术简介
本发明公开了一种过剩光载流子频谱分析仪。其特征在于：（1）包括从左至右顺次排列的检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜、光电探测器阵列、扫描驱动器、振镜和激发光光源；（2）检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜和光探测器阵列设置在同一光轴上，所述激发光光源经振镜的反射光入射到所述硅片上，该入射光与检测光光源经过光束整形器的扁平光束在同一下面内，所述扫面驱动器与振镜连接并驱动振镜周期性转动，待检测的射频信号加到偏电压上来调制所述激发光光源；（3）所述激发光光源的光子能量大于硅片的禁带宽度，所述检测光光源光子能量小于硅片的禁带宽度。200710049540.9
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一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
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利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明为一种利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法，用于光学通信领域。该方法利用脉冲激光光源在半导体材料的表面形成明暗相间的干涉或者衍射条纹，产生瞬态载流子光栅，采集经过光栅的衍射光实现信号的测量。本发明的方法实现了对半导体器件任何部位的信号采集与测量，该过程无需将受测部位单独拿出，同时不会对器件造成损伤。此外，利用载流子的迁移与复合所导致载流子光栅会不断变化直至平衡的特性，通过测量信号光受载流子光栅的影响可以计算出材料的载流子迁移率与载流子寿命。
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一种Ta3N5薄膜的制备方法及Ta3N5薄膜的应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种Ta3N5薄膜的制备方法，采用金属Ta片先化学腐蚀再氧化氮化的方法制备Ta3N5薄膜。本发明还公开了制备的Ta3N5薄膜的应用，将该Ta3N5薄膜作为光阳极用于太阳能分解水制氢。本发明通过化学腐蚀的引入一方面消除了金属Ta表面的富氧层，从而减少了最终制备的Ta3N5薄膜表面的载流子复合中心，减少了光生载流子表面复合；另一方面腐蚀造成金属Ta表面粗糙度增加，从而增加了最终制备的Ta3N5薄膜的表面粗糙度和比表面积，增大了电解液和Ta3N5薄膜的接触面积。本发明提高了Ta3N5薄膜的光吸收效率、光生载流子分离效率及载流子传输效率，Ta3N5光阳极的光电流及量子转化效率均有大幅提高。
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高速LED光通信调制器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高速LED光通信调制器，包括控制单元和可变供电单元，所述可变供电单元为可正负方向切换的能量供应单元；控制单元产生开关和时序控制信号，以驱动可变供电单元为LED供电；时序控制信号用于通过时序控制来降低能带弯曲，以提高载流子辐射复合；当可变供电单元正向供电时，LED开通，同时使载流子过注入；当可变供电单元反向供电时，LED关断，同时使载流子反向注入。还包括用于进一步加速关断的泄放通路。本发明通过控制对开通时的载流子过注入以及关断时的载流子反向注入，提高了载流子的复合速率，使得开关速度大幅度提高；通过辅助的泄放通路进一步加速关断；通过时序控制降低能带弯曲，提高载流子辐射复合。
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近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法，从上至下依次包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层、栅极和基底；其中，所述半导体层由ZnO制成，所述浮栅层由上转换荧光纳米颗粒制成。本发明利用上转换荧光纳米颗粒在近红外光作用下发出紫外光，ZnO半导体吸收紫外光产生载流子，在电场作用下，产生的载流子被捕获在浮栅层中。在这个过程中，近红外光间接增加了可被捕获的载流子数目，有效增强了存储器存储窗口并且实现了多比特存储。同时，本发明利用价格低廉的ZnO作为存储器半导体层，显著降低了存储器价格。相比传统晶体管型存储器，本发明所述的存储器不仅性能可以明显提高，成本也显著降低。
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一种过剩光载流子频谱分析仪
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：科学研究和技术服务业
技术简介
本发明公开了一种过剩光载流子频谱分析仪。其特征在于：（1）包括从左至右顺次排列的检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜、光电探测器阵列、扫描驱动器、振镜和激发光光源；（2）检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜和光探测器阵列设置在同一光轴上，所述激发光光源经振镜的反射光入射到所述硅片上，该入射光与检测光光源经过光束整形器的扁平光束在同一下面内，所述扫面驱动器与振镜连接并驱动振镜周期性转动，待检测的射频信号加到偏电压上来调制所述激发光光源；（3）所述激发光光源的光子能量大于硅片的禁带宽度，所述检测光光源光子能量小于硅片的禁带宽度。200710049540.9
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一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
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利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明为一种利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法，用于光学通信领域。该方法利用脉冲激光光源在半导体材料的表面形成明暗相间的干涉或者衍射条纹，产生瞬态载流子光栅，采集经过光栅的衍射光实现信号的测量。本发明的方法实现了对半导体器件任何部位的信号采集与测量，该过程无需将受测部位单独拿出，同时不会对器件造成损伤。此外，利用载流子的迁移与复合所导致载流子光栅会不断变化直至平衡的特性，通过测量信号光受载流子光栅的影响可以计算出材料的载流子迁移率与载流子寿命。
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一种Ta3N5薄膜的制备方法及Ta3N5薄膜的应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种Ta3N5薄膜的制备方法，采用金属Ta片先化学腐蚀再氧化氮化的方法制备Ta3N5薄膜。本发明还公开了制备的Ta3N5薄膜的应用，将该Ta3N5薄膜作为光阳极用于太阳能分解水制氢。本发明通过化学腐蚀的引入一方面消除了金属Ta表面的富氧层，从而减少了最终制备的Ta3N5薄膜表面的载流子复合中心，减少了光生载流子表面复合；另一方面腐蚀造成金属Ta表面粗糙度增加，从而增加了最终制备的Ta3N5薄膜的表面粗糙度和比表面积，增大了电解液和Ta3N5薄膜的接触面积。本发明提高了Ta3N5薄膜的光吸收效率、光生载流子分离效率及载流子传输效率，Ta3N5光阳极的光电流及量子转化效率均有大幅提高。
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高速LED光通信调制器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高速LED光通信调制器，包括控制单元和可变供电单元，所述可变供电单元为可正负方向切换的能量供应单元；控制单元产生开关和时序控制信号，以驱动可变供电单元为LED供电；时序控制信号用于通过时序控制来降低能带弯曲，以提高载流子辐射复合；当可变供电单元正向供电时，LED开通，同时使载流子过注入；当可变供电单元反向供电时，LED关断，同时使载流子反向注入。还包括用于进一步加速关断的泄放通路。本发明通过控制对开通时的载流子过注入以及关断时的载流子反向注入，提高了载流子的复合速率，使得开关速度大幅度提高；通过辅助的泄放通路进一步加速关断；通过时序控制降低能带弯曲，提高载流子辐射复合。
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近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法，从上至下依次包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层、栅极和基底；其中，所述半导体层由ZnO制成，所述浮栅层由上转换荧光纳米颗粒制成。本发明利用上转换荧光纳米颗粒在近红外光作用下发出紫外光，ZnO半导体吸收紫外光产生载流子，在电场作用下，产生的载流子被捕获在浮栅层中。在这个过程中，近红外光间接增加了可被捕获的载流子数目，有效增强了存储器存储窗口并且实现了多比特存储。同时，本发明利用价格低廉的ZnO作为存储器半导体层，显著降低了存储器价格。相比传统晶体管型存储器，本发明所述的存储器不仅性能可以明显提高，成本也显著降低。
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一种过剩光载流子频谱分析仪
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应用行业：科学研究和技术服务业
技术简介
本发明公开了一种过剩光载流子频谱分析仪。其特征在于：（1）包括从左至右顺次排列的检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜、光电探测器阵列、扫描驱动器、振镜和激发光光源；（2）检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜和光探测器阵列设置在同一光轴上，所述激发光光源经振镜的反射光入射到所述硅片上，该入射光与检测光光源经过光束整形器的扁平光束在同一下面内，所述扫面驱动器与振镜连接并驱动振镜周期性转动，待检测的射频信号加到偏电压上来调制所述激发光光源；（3）所述激发光光源的光子能量大于硅片的禁带宽度，所述检测光光源光子能量小于硅片的禁带宽度。200710049540.9
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一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
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利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明为一种利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法，用于光学通信领域。该方法利用脉冲激光光源在半导体材料的表面形成明暗相间的干涉或者衍射条纹，产生瞬态载流子光栅，采集经过光栅的衍射光实现信号的测量。本发明的方法实现了对半导体器件任何部位的信号采集与测量，该过程无需将受测部位单独拿出，同时不会对器件造成损伤。此外，利用载流子的迁移与复合所导致载流子光栅会不断变化直至平衡的特性，通过测量信号光受载流子光栅的影响可以计算出材料的载流子迁移率与载流子寿命。
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一种Ta3N5薄膜的制备方法及Ta3N5薄膜的应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种Ta3N5薄膜的制备方法，采用金属Ta片先化学腐蚀再氧化氮化的方法制备Ta3N5薄膜。本发明还公开了制备的Ta3N5薄膜的应用，将该Ta3N5薄膜作为光阳极用于太阳能分解水制氢。本发明通过化学腐蚀的引入一方面消除了金属Ta表面的富氧层，从而减少了最终制备的Ta3N5薄膜表面的载流子复合中心，减少了光生载流子表面复合；另一方面腐蚀造成金属Ta表面粗糙度增加，从而增加了最终制备的Ta3N5薄膜的表面粗糙度和比表面积，增大了电解液和Ta3N5薄膜的接触面积。本发明提高了Ta3N5薄膜的光吸收效率、光生载流子分离效率及载流子传输效率，Ta3N5光阳极的光电流及量子转化效率均有大幅提高。
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高速LED光通信调制器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高速LED光通信调制器，包括控制单元和可变供电单元，所述可变供电单元为可正负方向切换的能量供应单元；控制单元产生开关和时序控制信号，以驱动可变供电单元为LED供电；时序控制信号用于通过时序控制来降低能带弯曲，以提高载流子辐射复合；当可变供电单元正向供电时，LED开通，同时使载流子过注入；当可变供电单元反向供电时，LED关断，同时使载流子反向注入。还包括用于进一步加速关断的泄放通路。本发明通过控制对开通时的载流子过注入以及关断时的载流子反向注入，提高了载流子的复合速率，使得开关速度大幅度提高；通过辅助的泄放通路进一步加速关断；通过时序控制降低能带弯曲，提高载流子辐射复合。
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近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法，从上至下依次包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层、栅极和基底；其中，所述半导体层由ZnO制成，所述浮栅层由上转换荧光纳米颗粒制成。本发明利用上转换荧光纳米颗粒在近红外光作用下发出紫外光，ZnO半导体吸收紫外光产生载流子，在电场作用下，产生的载流子被捕获在浮栅层中。在这个过程中，近红外光间接增加了可被捕获的载流子数目，有效增强了存储器存储窗口并且实现了多比特存储。同时，本发明利用价格低廉的ZnO作为存储器半导体层，显著降低了存储器价格。相比传统晶体管型存储器，本发明所述的存储器不仅性能可以明显提高，成本也显著降低。
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一种过剩光载流子频谱分析仪
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应用行业：科学研究和技术服务业
技术简介
本发明公开了一种过剩光载流子频谱分析仪。其特征在于：（1）包括从左至右顺次排列的检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜、光电探测器阵列、扫描驱动器、振镜和激发光光源；（2）检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜和光探测器阵列设置在同一光轴上，所述激发光光源经振镜的反射光入射到所述硅片上，该入射光与检测光光源经过光束整形器的扁平光束在同一下面内，所述扫面驱动器与振镜连接并驱动振镜周期性转动，待检测的射频信号加到偏电压上来调制所述激发光光源；（3）所述激发光光源的光子能量大于硅片的禁带宽度，所述检测光光源光子能量小于硅片的禁带宽度。200710049540.9
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一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
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利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明为一种利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法，用于光学通信领域。该方法利用脉冲激光光源在半导体材料的表面形成明暗相间的干涉或者衍射条纹，产生瞬态载流子光栅，采集经过光栅的衍射光实现信号的测量。本发明的方法实现了对半导体器件任何部位的信号采集与测量，该过程无需将受测部位单独拿出，同时不会对器件造成损伤。此外，利用载流子的迁移与复合所导致载流子光栅会不断变化直至平衡的特性，通过测量信号光受载流子光栅的影响可以计算出材料的载流子迁移率与载流子寿命。
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一种Ta3N5薄膜的制备方法及Ta3N5薄膜的应用
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应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种Ta3N5薄膜的制备方法，采用金属Ta片先化学腐蚀再氧化氮化的方法制备Ta3N5薄膜。本发明还公开了制备的Ta3N5薄膜的应用，将该Ta3N5薄膜作为光阳极用于太阳能分解水制氢。本发明通过化学腐蚀的引入一方面消除了金属Ta表面的富氧层，从而减少了最终制备的Ta3N5薄膜表面的载流子复合中心，减少了光生载流子表面复合；另一方面腐蚀造成金属Ta表面粗糙度增加，从而增加了最终制备的Ta3N5薄膜的表面粗糙度和比表面积，增大了电解液和Ta3N5薄膜的接触面积。本发明提高了Ta3N5薄膜的光吸收效率、光生载流子分离效率及载流子传输效率，Ta3N5光阳极的光电流及量子转化效率均有大幅提高。
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高速LED光通信调制器
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技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高速LED光通信调制器，包括控制单元和可变供电单元，所述可变供电单元为可正负方向切换的能量供应单元；控制单元产生开关和时序控制信号，以驱动可变供电单元为LED供电；时序控制信号用于通过时序控制来降低能带弯曲，以提高载流子辐射复合；当可变供电单元正向供电时，LED开通，同时使载流子过注入；当可变供电单元反向供电时，LED关断，同时使载流子反向注入。还包括用于进一步加速关断的泄放通路。本发明通过控制对开通时的载流子过注入以及关断时的载流子反向注入，提高了载流子的复合速率，使得开关速度大幅度提高；通过辅助的泄放通路进一步加速关断；通过时序控制降低能带弯曲，提高载流子辐射复合。
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近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法，从上至下依次包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层、栅极和基底；其中，所述半导体层由ZnO制成，所述浮栅层由上转换荧光纳米颗粒制成。本发明利用上转换荧光纳米颗粒在近红外光作用下发出紫外光，ZnO半导体吸收紫外光产生载流子，在电场作用下，产生的载流子被捕获在浮栅层中。在这个过程中，近红外光间接增加了可被捕获的载流子数目，有效增强了存储器存储窗口并且实现了多比特存储。同时，本发明利用价格低廉的ZnO作为存储器半导体层，显著降低了存储器价格。相比传统晶体管型存储器，本发明所述的存储器不仅性能可以明显提高，成本也显著降低。
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一种过剩光载流子频谱分析仪
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：科学研究和技术服务业
技术简介
本发明公开了一种过剩光载流子频谱分析仪。其特征在于：（1）包括从左至右顺次排列的检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜、光电探测器阵列、扫描驱动器、振镜和激发光光源；（2）检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜和光探测器阵列设置在同一光轴上，所述激发光光源经振镜的反射光入射到所述硅片上，该入射光与检测光光源经过光束整形器的扁平光束在同一下面内，所述扫面驱动器与振镜连接并驱动振镜周期性转动，待检测的射频信号加到偏电压上来调制所述激发光光源；（3）所述激发光光源的光子能量大于硅片的禁带宽度，所述检测光光源光子能量小于硅片的禁带宽度。200710049540.9
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一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
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利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明为一种利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法，用于光学通信领域。该方法利用脉冲激光光源在半导体材料的表面形成明暗相间的干涉或者衍射条纹，产生瞬态载流子光栅，采集经过光栅的衍射光实现信号的测量。本发明的方法实现了对半导体器件任何部位的信号采集与测量，该过程无需将受测部位单独拿出，同时不会对器件造成损伤。此外，利用载流子的迁移与复合所导致载流子光栅会不断变化直至平衡的特性，通过测量信号光受载流子光栅的影响可以计算出材料的载流子迁移率与载流子寿命。
找到6项技术成果数据。
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一种Ta3N5薄膜的制备方法及Ta3N5薄膜的应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种Ta3N5薄膜的制备方法，采用金属Ta片先化学腐蚀再氧化氮化的方法制备Ta3N5薄膜。本发明还公开了制备的Ta3N5薄膜的应用，将该Ta3N5薄膜作为光阳极用于太阳能分解水制氢。本发明通过化学腐蚀的引入一方面消除了金属Ta表面的富氧层，从而减少了最终制备的Ta3N5薄膜表面的载流子复合中心，减少了光生载流子表面复合；另一方面腐蚀造成金属Ta表面粗糙度增加，从而增加了最终制备的Ta3N5薄膜的表面粗糙度和比表面积，增大了电解液和Ta3N5薄膜的接触面积。本发明提高了Ta3N5薄膜的光吸收效率、光生载流子分离效率及载流子传输效率，Ta3N5光阳极的光电流及量子转化效率均有大幅提高。
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高速LED光通信调制器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高速LED光通信调制器，包括控制单元和可变供电单元，所述可变供电单元为可正负方向切换的能量供应单元；控制单元产生开关和时序控制信号，以驱动可变供电单元为LED供电；时序控制信号用于通过时序控制来降低能带弯曲，以提高载流子辐射复合；当可变供电单元正向供电时，LED开通，同时使载流子过注入；当可变供电单元反向供电时，LED关断，同时使载流子反向注入。还包括用于进一步加速关断的泄放通路。本发明通过控制对开通时的载流子过注入以及关断时的载流子反向注入，提高了载流子的复合速率，使得开关速度大幅度提高；通过辅助的泄放通路进一步加速关断；通过时序控制降低能带弯曲，提高载流子辐射复合。
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近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法，从上至下依次包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层、栅极和基底；其中，所述半导体层由ZnO制成，所述浮栅层由上转换荧光纳米颗粒制成。本发明利用上转换荧光纳米颗粒在近红外光作用下发出紫外光，ZnO半导体吸收紫外光产生载流子，在电场作用下，产生的载流子被捕获在浮栅层中。在这个过程中，近红外光间接增加了可被捕获的载流子数目，有效增强了存储器存储窗口并且实现了多比特存储。同时，本发明利用价格低廉的ZnO作为存储器半导体层，显著降低了存储器价格。相比传统晶体管型存储器，本发明所述的存储器不仅性能可以明显提高，成本也显著降低。
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一种过剩光载流子频谱分析仪
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：科学研究和技术服务业
技术简介
本发明公开了一种过剩光载流子频谱分析仪。其特征在于：（1）包括从左至右顺次排列的检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜、光电探测器阵列、扫描驱动器、振镜和激发光光源；（2）检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜和光探测器阵列设置在同一光轴上，所述激发光光源经振镜的反射光入射到所述硅片上，该入射光与检测光光源经过光束整形器的扁平光束在同一下面内，所述扫面驱动器与振镜连接并驱动振镜周期性转动，待检测的射频信号加到偏电压上来调制所述激发光光源；（3）所述激发光光源的光子能量大于硅片的禁带宽度，所述检测光光源光子能量小于硅片的禁带宽度。200710049540.9
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一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
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利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明为一种利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法，用于光学通信领域。该方法利用脉冲激光光源在半导体材料的表面形成明暗相间的干涉或者衍射条纹，产生瞬态载流子光栅，采集经过光栅的衍射光实现信号的测量。本发明的方法实现了对半导体器件任何部位的信号采集与测量，该过程无需将受测部位单独拿出，同时不会对器件造成损伤。此外，利用载流子的迁移与复合所导致载流子光栅会不断变化直至平衡的特性，通过测量信号光受载流子光栅的影响可以计算出材料的载流子迁移率与载流子寿命。
找到6项技术成果数据。
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一种Ta3N5薄膜的制备方法及Ta3N5薄膜的应用
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种Ta3N5薄膜的制备方法，采用金属Ta片先化学腐蚀再氧化氮化的方法制备Ta3N5薄膜。本发明还公开了制备的Ta3N5薄膜的应用，将该Ta3N5薄膜作为光阳极用于太阳能分解水制氢。本发明通过化学腐蚀的引入一方面消除了金属Ta表面的富氧层，从而减少了最终制备的Ta3N5薄膜表面的载流子复合中心，减少了光生载流子表面复合；另一方面腐蚀造成金属Ta表面粗糙度增加，从而增加了最终制备的Ta3N5薄膜的表面粗糙度和比表面积，增大了电解液和Ta3N5薄膜的接触面积。本发明提高了Ta3N5薄膜的光吸收效率、光生载流子分离效率及载流子传输效率，Ta3N5光阳极的光电流及量子转化效率均有大幅提高。
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高速LED光通信调制器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高速LED光通信调制器，包括控制单元和可变供电单元，所述可变供电单元为可正负方向切换的能量供应单元；控制单元产生开关和时序控制信号，以驱动可变供电单元为LED供电；时序控制信号用于通过时序控制来降低能带弯曲，以提高载流子辐射复合；当可变供电单元正向供电时，LED开通，同时使载流子过注入；当可变供电单元反向供电时，LED关断，同时使载流子反向注入。还包括用于进一步加速关断的泄放通路。本发明通过控制对开通时的载流子过注入以及关断时的载流子反向注入，提高了载流子的复合速率，使得开关速度大幅度提高；通过辅助的泄放通路进一步加速关断；通过时序控制降低能带弯曲，提高载流子辐射复合。
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近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法，从上至下依次包括源漏电极、半导体层、隧穿层、浮栅层、阻挡层、栅极和基底；其中，所述半导体层由ZnO制成，所述浮栅层由上转换荧光纳米颗粒制成。本发明利用上转换荧光纳米颗粒在近红外光作用下发出紫外光，ZnO半导体吸收紫外光产生载流子，在电场作用下，产生的载流子被捕获在浮栅层中。在这个过程中，近红外光间接增加了可被捕获的载流子数目，有效增强了存储器存储窗口并且实现了多比特存储。同时，本发明利用价格低廉的ZnO作为存储器半导体层，显著降低了存储器价格。相比传统晶体管型存储器，本发明所述的存储器不仅性能可以明显提高，成本也显著降低。
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一种过剩光载流子频谱分析仪
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：科学研究和技术服务业
技术简介
本发明公开了一种过剩光载流子频谱分析仪。其特征在于：（1）包括从左至右顺次排列的检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜、光电探测器阵列、扫描驱动器、振镜和激发光光源；（2）检测光光源、光束整形器、硅片、凸透镜和光探测器阵列设置在同一光轴上，所述激发光光源经振镜的反射光入射到所述硅片上，该入射光与检测光光源经过光束整形器的扁平光束在同一下面内，所述扫面驱动器与振镜连接并驱动振镜周期性转动，待检测的射频信号加到偏电压上来调制所述激发光光源；（3）所述激发光光源的光子能量大于硅片的禁带宽度，所述检测光光源光子能量小于硅片的禁带宽度。200710049540.9
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一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
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利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明为一种利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法，用于光学通信领域。该方法利用脉冲激光光源在半导体材料的表面形成明暗相间的干涉或者衍射条纹，产生瞬态载流子光栅，采集经过光栅的衍射光实现信号的测量。本发明的方法实现了对半导体器件任何部位的信号采集与测量，该过程无需将受测部位单独拿出，同时不会对器件造成损伤。此外，利用载流子的迁移与复合所导致载流子光栅会不断变化直至平衡的特性，通过测量信号光受载流子光栅的影响可以计算出材料的载流子迁移率与载流子寿命。