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找专利>全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 | Full transparent AlGaN/GaN high electron mobility transistor and manufacturing method thereof
专利号：CN101771076B专利类型：发明专利阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管 | Step-like groove-grid high electron mobility transistor
专利号：CN102130158A专利类型：发明专利槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法 | High electron mobility device for trench gate type source field board and manufacturing method therefor
专利号：CN101419982B专利类型：发明专利槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法 | High electron mobility device for trench gate type source field board and manufacturing method therefor
专利号：CN101419982A专利类型：发明专利一种高迁移率的掺氟氧化锌基透明导电薄膜的制备方法
专利号：2014101456295专利类型：发明专利基于纳米球掩模的低欧姆接触GaN基HEMT制备方法
专利号：CN109728087B专利类型：发明专利阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法
专利号：CN105548267A专利类型：发明专利以二维材料为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
专利号：CN110518122A专利类型：发明专利一种优化平面布局和结构的大电流氮化镓高电子迁移率晶体管
专利号：CN109103249A专利类型：发明专利一种高电子迁移率晶体管外延结构
专利号：CN208142186U专利类型：实用新型专利