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成果概况
简介
本发明公开了一种基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的检测器,具体包括以下组成部分:
- 低温杜瓦:设有透明窗,用于容纳检测器内部组件。
- 超导氮化铌测辐射热计芯片:设置于低温杜瓦内,用于接收和检测辐射信号。
- 聚焦透镜:用于将进入低温杜瓦内的太赫兹波聚焦于超导氮化铌测辐射热计芯片上。
- 偏置器:为T型偏置器,具有射频直流端口、直流偏置端口和射频输出端口,分别连接以下组件:
- 环形器:为三端口环形器,其三个端口分别连接以下组件:
- 信号放大器:输出端口连接信号检测接口。
通过以上组件的合理布局和连接,本发明实现了基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的高效检测。
本发明公开了一种基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的检测器,包括低温杜瓦、超导氮化铌测辐射热计芯片、聚焦透镜、偏置器、直流电源、环形器、偏置信号发生器和信号放大器。低温杜瓦设有透明窗。超导氮化铌测辐射热计芯片设置于低温杜瓦内。聚焦透镜用于将进入低温杜瓦内的太赫兹波聚焦于超导氮化铌测辐射热计芯片上。偏置器为T型偏置器,其射频直流端口、直流偏置端口和射频输出端口分别连接超导氮化铌测辐射热计芯片、直流电源和环形器。环形器为三端口环形器。环形器的三个端口分别连接偏置信号发生器、偏置器和信号放大器的输入端口。信号放大器的输出端口连接信号检测接口。
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原文)
专利基本信息
| 专利名称 |
一种基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的检测器 |
| 专利状态 |
- |
专利号(申请号) |
CN201611129045.4 |
| 申请号 |
- |
专利申请日期 |
2016-12-09 |
| 专利授权日期 |
2017-04-26 |
专利权届满日 |
- |
| 专利所属地 |
中国 |
专利类型 |
发明专利 |
| 发明人 |
姜寿禄;陈健;李先峰;贾小氢;康琳;金飚兵;许伟伟;吴培亨 |
| 权利人 |
- |
| 专利摘要 |
本发明公开了一种基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的检测器,包括低温杜瓦、超导氮化铌测辐射热计芯片、聚焦透镜、偏置器、直流电源、环形器、偏置信号发生器和信号放大器。低温杜瓦设有透明窗。超导氮化铌测辐射热计芯片设置于低温杜瓦内。聚焦透镜用于将进入低温杜瓦内的太赫兹波聚焦于超导氮化铌测辐射热计芯片上。偏置器为T型偏置器,其射频直流端口、直流偏置端口和射频输出端口分别连接超导氮化铌测辐射热计芯片、直流电源和环形器。环形器为三端口环形器。环形器的三个端口分别连接偏置信号发生器、偏置器和信号放大器的输入端口。信号放大器的输出端口连接信号检测接口。 |