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光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法，通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层，利用微粒的机械摩擦作用去除反应层，高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性，优选抛光液，获得提高抛光效率的化学反应层；并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值，以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器的信号读出放大方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：文化、体育和娱乐业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
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混合集成式光电子取样系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
目前国外已有的光电子取样技术产品均采用染料激光器作光源，体积大，成本高，维护使用不方便。该项目采用半导体激光器作光源，采用混合集成式光电回路作取样门，避免了上述缺点。这在国内外均有一定的创造性。主要技术指标为：分辨时间＜４０ｐｓ；测量灵敏度≤１ｍＶ（ｒｍｓ）。该系统还具有体积小、造价低，使用方便的优点，和宽带示波器相比，具有无抖动触发、可用ＰＣ机处理数据和显示打印波形等优点。上述指标和性能达到９０年代初国际水平。该成果如开发成产品，每台售价（包括开发费折入成本）估计为７～９万元。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、Si0N或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。
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基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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导热型光电子树脂封装材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：项目简介：目前散热问题已成为光电子器件小型化、高集成化的一个主要障碍。金属或陶瓷封装的散热性好，但成本高、工艺复杂。采用树脂封装，一般树脂材料的导热性很差。本项目通过在树脂基体中填加高导热陶瓷材料，并加入偶联剂，可以采用普通树脂封装工艺。导热性能超过普通树脂基体10倍以上。同时又提高了树脂的热稳定性、减小了树脂的热膨胀系数，从而有利于提高了光电子器件的热稳定性和抗热冲击性能。技术的应用领域前景分析：该技术还可以应用于其它需要树脂导热性能的场合，如热交换器、建筑供热管道、机电外壳等。效益分析：本项目是一种工艺简单、成本低的导热型光电子树脂封装材料，效益十分可观。厂房条件建议：无备注：无
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一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。
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基于银酸锂薄膜/磷化钢芯片的可调谐半导体激光器
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
申请人和课题组所在的实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室拥有“微纳加工与分析平台"、"光电半导体材料制备与器件加工平台"、"材料分析与测试平台"等一系列科研平台,可以完成从材料表征、混合集成、微纳加工、测试封装等一系列自主化光芯片制备工艺流程。申请人所在课题组(余思远教授、蔡鑫伦教授团队)围绕下一代光电集成系统中的关键光电材料LNOI,以开发自主可控的光电子芯片技术为目标,掌握了银酸锂薄膜光电子芯片设计、制备以及测试的整套自主研发方法。
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半导体微环激光器的制作与应用研究
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
项目概述： 半导体微环激光器可以实现可调谐光源、红外与太赫兹源、混沌光源及保密通信、全光路由及全光信息处理等不同的功能与应用，在光电子技术领域具有非常大的潜力与优势。目前研究集中在器件与应用研究等方面，建立了微纳尺度的半导体环形激光器的理论模型，针对不同波段、 不同材料系统的制作工艺难点，建立了单片微纳结构制造工艺流程，完成了半径在10-100微米之间的矩形回射腔微环和微碟激光器芯片的设计与制作测试。 合作方式： 面议。
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宽波带光电子多功能治疗仪
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：用光电子的方法治疗疼痛在国外已经成熟，效果很好。这类产品因其是一种光机电一体化的高科技产品，售价在25至30万元。国内目前尚未发现生产此类产品的厂家。武汉理工大学对此做了深入研究，不仅具备生产国外同类产品水平仪器的技术条件，且由单纯疼痛治疗扩大到，同一仪器还可治疗多科疾病。技术的应用领域前景分析：生产设备、不仅可生产本治疗仪,还可扩大生产光子美容仪类系列产品及激光治疗仪系列产品。效益分析：该多功能治疗仪生产成本低，市场应用广泛，固定资产投资根据实际情况可大可小。厂房条件建议：无备注：无
找到12项技术成果数据。
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光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法，通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层，利用微粒的机械摩擦作用去除反应层，高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性，优选抛光液，获得提高抛光效率的化学反应层；并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值，以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器的信号读出放大方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：文化、体育和娱乐业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
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混合集成式光电子取样系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
目前国外已有的光电子取样技术产品均采用染料激光器作光源，体积大，成本高，维护使用不方便。该项目采用半导体激光器作光源，采用混合集成式光电回路作取样门，避免了上述缺点。这在国内外均有一定的创造性。主要技术指标为：分辨时间＜４０ｐｓ；测量灵敏度≤１ｍＶ（ｒｍｓ）。该系统还具有体积小、造价低，使用方便的优点，和宽带示波器相比，具有无抖动触发、可用ＰＣ机处理数据和显示打印波形等优点。上述指标和性能达到９０年代初国际水平。该成果如开发成产品，每台售价（包括开发费折入成本）估计为７～９万元。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、Si0N或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。
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基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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导热型光电子树脂封装材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：项目简介：目前散热问题已成为光电子器件小型化、高集成化的一个主要障碍。金属或陶瓷封装的散热性好，但成本高、工艺复杂。采用树脂封装，一般树脂材料的导热性很差。本项目通过在树脂基体中填加高导热陶瓷材料，并加入偶联剂，可以采用普通树脂封装工艺。导热性能超过普通树脂基体10倍以上。同时又提高了树脂的热稳定性、减小了树脂的热膨胀系数，从而有利于提高了光电子器件的热稳定性和抗热冲击性能。技术的应用领域前景分析：该技术还可以应用于其它需要树脂导热性能的场合，如热交换器、建筑供热管道、机电外壳等。效益分析：本项目是一种工艺简单、成本低的导热型光电子树脂封装材料，效益十分可观。厂房条件建议：无备注：无
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一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。
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基于银酸锂薄膜/磷化钢芯片的可调谐半导体激光器
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
申请人和课题组所在的实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室拥有“微纳加工与分析平台"、"光电半导体材料制备与器件加工平台"、"材料分析与测试平台"等一系列科研平台,可以完成从材料表征、混合集成、微纳加工、测试封装等一系列自主化光芯片制备工艺流程。申请人所在课题组(余思远教授、蔡鑫伦教授团队)围绕下一代光电集成系统中的关键光电材料LNOI,以开发自主可控的光电子芯片技术为目标,掌握了银酸锂薄膜光电子芯片设计、制备以及测试的整套自主研发方法。
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半导体微环激光器的制作与应用研究
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
项目概述： 半导体微环激光器可以实现可调谐光源、红外与太赫兹源、混沌光源及保密通信、全光路由及全光信息处理等不同的功能与应用，在光电子技术领域具有非常大的潜力与优势。目前研究集中在器件与应用研究等方面，建立了微纳尺度的半导体环形激光器的理论模型，针对不同波段、 不同材料系统的制作工艺难点，建立了单片微纳结构制造工艺流程，完成了半径在10-100微米之间的矩形回射腔微环和微碟激光器芯片的设计与制作测试。 合作方式： 面议。
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宽波带光电子多功能治疗仪
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：用光电子的方法治疗疼痛在国外已经成熟，效果很好。这类产品因其是一种光机电一体化的高科技产品，售价在25至30万元。国内目前尚未发现生产此类产品的厂家。武汉理工大学对此做了深入研究，不仅具备生产国外同类产品水平仪器的技术条件，且由单纯疼痛治疗扩大到，同一仪器还可治疗多科疾病。技术的应用领域前景分析：生产设备、不仅可生产本治疗仪,还可扩大生产光子美容仪类系列产品及激光治疗仪系列产品。效益分析：该多功能治疗仪生产成本低，市场应用广泛，固定资产投资根据实际情况可大可小。厂房条件建议：无备注：无
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光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法，通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层，利用微粒的机械摩擦作用去除反应层，高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性，优选抛光液，获得提高抛光效率的化学反应层；并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值，以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器的信号读出放大方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：文化、体育和娱乐业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
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混合集成式光电子取样系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
目前国外已有的光电子取样技术产品均采用染料激光器作光源，体积大，成本高，维护使用不方便。该项目采用半导体激光器作光源，采用混合集成式光电回路作取样门，避免了上述缺点。这在国内外均有一定的创造性。主要技术指标为：分辨时间＜４０ｐｓ；测量灵敏度≤１ｍＶ（ｒｍｓ）。该系统还具有体积小、造价低，使用方便的优点，和宽带示波器相比，具有无抖动触发、可用ＰＣ机处理数据和显示打印波形等优点。上述指标和性能达到９０年代初国际水平。该成果如开发成产品，每台售价（包括开发费折入成本）估计为７～９万元。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、Si0N或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。
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基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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导热型光电子树脂封装材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：项目简介：目前散热问题已成为光电子器件小型化、高集成化的一个主要障碍。金属或陶瓷封装的散热性好，但成本高、工艺复杂。采用树脂封装，一般树脂材料的导热性很差。本项目通过在树脂基体中填加高导热陶瓷材料，并加入偶联剂，可以采用普通树脂封装工艺。导热性能超过普通树脂基体10倍以上。同时又提高了树脂的热稳定性、减小了树脂的热膨胀系数，从而有利于提高了光电子器件的热稳定性和抗热冲击性能。技术的应用领域前景分析：该技术还可以应用于其它需要树脂导热性能的场合，如热交换器、建筑供热管道、机电外壳等。效益分析：本项目是一种工艺简单、成本低的导热型光电子树脂封装材料，效益十分可观。厂房条件建议：无备注：无
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一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。
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基于银酸锂薄膜/磷化钢芯片的可调谐半导体激光器
成熟度：通过小试
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应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
申请人和课题组所在的实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室拥有“微纳加工与分析平台"、"光电半导体材料制备与器件加工平台"、"材料分析与测试平台"等一系列科研平台,可以完成从材料表征、混合集成、微纳加工、测试封装等一系列自主化光芯片制备工艺流程。申请人所在课题组(余思远教授、蔡鑫伦教授团队)围绕下一代光电集成系统中的关键光电材料LNOI,以开发自主可控的光电子芯片技术为目标,掌握了银酸锂薄膜光电子芯片设计、制备以及测试的整套自主研发方法。
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半导体微环激光器的制作与应用研究
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
项目概述： 半导体微环激光器可以实现可调谐光源、红外与太赫兹源、混沌光源及保密通信、全光路由及全光信息处理等不同的功能与应用，在光电子技术领域具有非常大的潜力与优势。目前研究集中在器件与应用研究等方面，建立了微纳尺度的半导体环形激光器的理论模型，针对不同波段、 不同材料系统的制作工艺难点，建立了单片微纳结构制造工艺流程，完成了半径在10-100微米之间的矩形回射腔微环和微碟激光器芯片的设计与制作测试。 合作方式： 面议。
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宽波带光电子多功能治疗仪
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：用光电子的方法治疗疼痛在国外已经成熟，效果很好。这类产品因其是一种光机电一体化的高科技产品，售价在25至30万元。国内目前尚未发现生产此类产品的厂家。武汉理工大学对此做了深入研究，不仅具备生产国外同类产品水平仪器的技术条件，且由单纯疼痛治疗扩大到，同一仪器还可治疗多科疾病。技术的应用领域前景分析：生产设备、不仅可生产本治疗仪,还可扩大生产光子美容仪类系列产品及激光治疗仪系列产品。效益分析：该多功能治疗仪生产成本低，市场应用广泛，固定资产投资根据实际情况可大可小。厂房条件建议：无备注：无
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光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法，通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层，利用微粒的机械摩擦作用去除反应层，高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性，优选抛光液，获得提高抛光效率的化学反应层；并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值，以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器的信号读出放大方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：文化、体育和娱乐业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
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混合集成式光电子取样系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
目前国外已有的光电子取样技术产品均采用染料激光器作光源，体积大，成本高，维护使用不方便。该项目采用半导体激光器作光源，采用混合集成式光电回路作取样门，避免了上述缺点。这在国内外均有一定的创造性。主要技术指标为：分辨时间＜４０ｐｓ；测量灵敏度≤１ｍＶ（ｒｍｓ）。该系统还具有体积小、造价低，使用方便的优点，和宽带示波器相比，具有无抖动触发、可用ＰＣ机处理数据和显示打印波形等优点。上述指标和性能达到９０年代初国际水平。该成果如开发成产品，每台售价（包括开发费折入成本）估计为７～９万元。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、Si0N或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。
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基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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导热型光电子树脂封装材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：项目简介：目前散热问题已成为光电子器件小型化、高集成化的一个主要障碍。金属或陶瓷封装的散热性好，但成本高、工艺复杂。采用树脂封装，一般树脂材料的导热性很差。本项目通过在树脂基体中填加高导热陶瓷材料，并加入偶联剂，可以采用普通树脂封装工艺。导热性能超过普通树脂基体10倍以上。同时又提高了树脂的热稳定性、减小了树脂的热膨胀系数，从而有利于提高了光电子器件的热稳定性和抗热冲击性能。技术的应用领域前景分析：该技术还可以应用于其它需要树脂导热性能的场合，如热交换器、建筑供热管道、机电外壳等。效益分析：本项目是一种工艺简单、成本低的导热型光电子树脂封装材料，效益十分可观。厂房条件建议：无备注：无
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一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。
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基于银酸锂薄膜/磷化钢芯片的可调谐半导体激光器
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
申请人和课题组所在的实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室拥有“微纳加工与分析平台"、"光电半导体材料制备与器件加工平台"、"材料分析与测试平台"等一系列科研平台,可以完成从材料表征、混合集成、微纳加工、测试封装等一系列自主化光芯片制备工艺流程。申请人所在课题组(余思远教授、蔡鑫伦教授团队)围绕下一代光电集成系统中的关键光电材料LNOI,以开发自主可控的光电子芯片技术为目标,掌握了银酸锂薄膜光电子芯片设计、制备以及测试的整套自主研发方法。
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半导体微环激光器的制作与应用研究
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
项目概述： 半导体微环激光器可以实现可调谐光源、红外与太赫兹源、混沌光源及保密通信、全光路由及全光信息处理等不同的功能与应用，在光电子技术领域具有非常大的潜力与优势。目前研究集中在器件与应用研究等方面，建立了微纳尺度的半导体环形激光器的理论模型，针对不同波段、 不同材料系统的制作工艺难点，建立了单片微纳结构制造工艺流程，完成了半径在10-100微米之间的矩形回射腔微环和微碟激光器芯片的设计与制作测试。 合作方式： 面议。
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宽波带光电子多功能治疗仪
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：用光电子的方法治疗疼痛在国外已经成熟，效果很好。这类产品因其是一种光机电一体化的高科技产品，售价在25至30万元。国内目前尚未发现生产此类产品的厂家。武汉理工大学对此做了深入研究，不仅具备生产国外同类产品水平仪器的技术条件，且由单纯疼痛治疗扩大到，同一仪器还可治疗多科疾病。技术的应用领域前景分析：生产设备、不仅可生产本治疗仪,还可扩大生产光子美容仪类系列产品及激光治疗仪系列产品。效益分析：该多功能治疗仪生产成本低，市场应用广泛，固定资产投资根据实际情况可大可小。厂房条件建议：无备注：无
找到12项技术成果数据。
找技术>-
光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法，通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层，利用微粒的机械摩擦作用去除反应层，高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性，优选抛光液，获得提高抛光效率的化学反应层；并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值，以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器的信号读出放大方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：文化、体育和娱乐业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
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混合集成式光电子取样系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
目前国外已有的光电子取样技术产品均采用染料激光器作光源，体积大，成本高，维护使用不方便。该项目采用半导体激光器作光源，采用混合集成式光电回路作取样门，避免了上述缺点。这在国内外均有一定的创造性。主要技术指标为：分辨时间＜４０ｐｓ；测量灵敏度≤１ｍＶ（ｒｍｓ）。该系统还具有体积小、造价低，使用方便的优点，和宽带示波器相比，具有无抖动触发、可用ＰＣ机处理数据和显示打印波形等优点。上述指标和性能达到９０年代初国际水平。该成果如开发成产品，每台售价（包括开发费折入成本）估计为７～９万元。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、Si0N或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。
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基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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导热型光电子树脂封装材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：项目简介：目前散热问题已成为光电子器件小型化、高集成化的一个主要障碍。金属或陶瓷封装的散热性好，但成本高、工艺复杂。采用树脂封装，一般树脂材料的导热性很差。本项目通过在树脂基体中填加高导热陶瓷材料，并加入偶联剂，可以采用普通树脂封装工艺。导热性能超过普通树脂基体10倍以上。同时又提高了树脂的热稳定性、减小了树脂的热膨胀系数，从而有利于提高了光电子器件的热稳定性和抗热冲击性能。技术的应用领域前景分析：该技术还可以应用于其它需要树脂导热性能的场合，如热交换器、建筑供热管道、机电外壳等。效益分析：本项目是一种工艺简单、成本低的导热型光电子树脂封装材料，效益十分可观。厂房条件建议：无备注：无
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一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。
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基于银酸锂薄膜/磷化钢芯片的可调谐半导体激光器
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
申请人和课题组所在的实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室拥有“微纳加工与分析平台"、"光电半导体材料制备与器件加工平台"、"材料分析与测试平台"等一系列科研平台,可以完成从材料表征、混合集成、微纳加工、测试封装等一系列自主化光芯片制备工艺流程。申请人所在课题组(余思远教授、蔡鑫伦教授团队)围绕下一代光电集成系统中的关键光电材料LNOI,以开发自主可控的光电子芯片技术为目标,掌握了银酸锂薄膜光电子芯片设计、制备以及测试的整套自主研发方法。
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半导体微环激光器的制作与应用研究
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
项目概述： 半导体微环激光器可以实现可调谐光源、红外与太赫兹源、混沌光源及保密通信、全光路由及全光信息处理等不同的功能与应用，在光电子技术领域具有非常大的潜力与优势。目前研究集中在器件与应用研究等方面，建立了微纳尺度的半导体环形激光器的理论模型，针对不同波段、 不同材料系统的制作工艺难点，建立了单片微纳结构制造工艺流程，完成了半径在10-100微米之间的矩形回射腔微环和微碟激光器芯片的设计与制作测试。 合作方式： 面议。
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宽波带光电子多功能治疗仪
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：用光电子的方法治疗疼痛在国外已经成熟，效果很好。这类产品因其是一种光机电一体化的高科技产品，售价在25至30万元。国内目前尚未发现生产此类产品的厂家。武汉理工大学对此做了深入研究，不仅具备生产国外同类产品水平仪器的技术条件，且由单纯疼痛治疗扩大到，同一仪器还可治疗多科疾病。技术的应用领域前景分析：生产设备、不仅可生产本治疗仪,还可扩大生产光子美容仪类系列产品及激光治疗仪系列产品。效益分析：该多功能治疗仪生产成本低，市场应用广泛，固定资产投资根据实际情况可大可小。厂房条件建议：无备注：无
找到12项技术成果数据。
找技术>-
光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法，通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层，利用微粒的机械摩擦作用去除反应层，高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性，优选抛光液，获得提高抛光效率的化学反应层；并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值，以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器的信号读出放大方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：文化、体育和娱乐业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
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混合集成式光电子取样系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
目前国外已有的光电子取样技术产品均采用染料激光器作光源，体积大，成本高，维护使用不方便。该项目采用半导体激光器作光源，采用混合集成式光电回路作取样门，避免了上述缺点。这在国内外均有一定的创造性。主要技术指标为：分辨时间＜４０ｐｓ；测量灵敏度≤１ｍＶ（ｒｍｓ）。该系统还具有体积小、造价低，使用方便的优点，和宽带示波器相比，具有无抖动触发、可用ＰＣ机处理数据和显示打印波形等优点。上述指标和性能达到９０年代初国际水平。该成果如开发成产品，每台售价（包括开发费折入成本）估计为７～９万元。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、Si0N或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。
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基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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导热型光电子树脂封装材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：项目简介：目前散热问题已成为光电子器件小型化、高集成化的一个主要障碍。金属或陶瓷封装的散热性好，但成本高、工艺复杂。采用树脂封装，一般树脂材料的导热性很差。本项目通过在树脂基体中填加高导热陶瓷材料，并加入偶联剂，可以采用普通树脂封装工艺。导热性能超过普通树脂基体10倍以上。同时又提高了树脂的热稳定性、减小了树脂的热膨胀系数，从而有利于提高了光电子器件的热稳定性和抗热冲击性能。技术的应用领域前景分析：该技术还可以应用于其它需要树脂导热性能的场合，如热交换器、建筑供热管道、机电外壳等。效益分析：本项目是一种工艺简单、成本低的导热型光电子树脂封装材料，效益十分可观。厂房条件建议：无备注：无
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一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。
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基于银酸锂薄膜/磷化钢芯片的可调谐半导体激光器
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
申请人和课题组所在的实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室拥有“微纳加工与分析平台"、"光电半导体材料制备与器件加工平台"、"材料分析与测试平台"等一系列科研平台,可以完成从材料表征、混合集成、微纳加工、测试封装等一系列自主化光芯片制备工艺流程。申请人所在课题组(余思远教授、蔡鑫伦教授团队)围绕下一代光电集成系统中的关键光电材料LNOI,以开发自主可控的光电子芯片技术为目标,掌握了银酸锂薄膜光电子芯片设计、制备以及测试的整套自主研发方法。
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半导体微环激光器的制作与应用研究
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
项目概述： 半导体微环激光器可以实现可调谐光源、红外与太赫兹源、混沌光源及保密通信、全光路由及全光信息处理等不同的功能与应用，在光电子技术领域具有非常大的潜力与优势。目前研究集中在器件与应用研究等方面，建立了微纳尺度的半导体环形激光器的理论模型，针对不同波段、 不同材料系统的制作工艺难点，建立了单片微纳结构制造工艺流程，完成了半径在10-100微米之间的矩形回射腔微环和微碟激光器芯片的设计与制作测试。 合作方式： 面议。
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宽波带光电子多功能治疗仪
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：用光电子的方法治疗疼痛在国外已经成熟，效果很好。这类产品因其是一种光机电一体化的高科技产品，售价在25至30万元。国内目前尚未发现生产此类产品的厂家。武汉理工大学对此做了深入研究，不仅具备生产国外同类产品水平仪器的技术条件，且由单纯疼痛治疗扩大到，同一仪器还可治疗多科疾病。技术的应用领域前景分析：生产设备、不仅可生产本治疗仪,还可扩大生产光子美容仪类系列产品及激光治疗仪系列产品。效益分析：该多功能治疗仪生产成本低，市场应用广泛，固定资产投资根据实际情况可大可小。厂房条件建议：无备注：无
找到12项技术成果数据。
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光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法，通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层，利用微粒的机械摩擦作用去除反应层，高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性，优选抛光液，获得提高抛光效率的化学反应层；并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值，以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器的信号读出放大方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：文化、体育和娱乐业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
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混合集成式光电子取样系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
目前国外已有的光电子取样技术产品均采用染料激光器作光源，体积大，成本高，维护使用不方便。该项目采用半导体激光器作光源，采用混合集成式光电回路作取样门，避免了上述缺点。这在国内外均有一定的创造性。主要技术指标为：分辨时间＜４０ｐｓ；测量灵敏度≤１ｍＶ（ｒｍｓ）。该系统还具有体积小、造价低，使用方便的优点，和宽带示波器相比，具有无抖动触发、可用ＰＣ机处理数据和显示打印波形等优点。上述指标和性能达到９０年代初国际水平。该成果如开发成产品，每台售价（包括开发费折入成本）估计为７～９万元。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、Si0N或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。
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基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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导热型光电子树脂封装材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：项目简介：目前散热问题已成为光电子器件小型化、高集成化的一个主要障碍。金属或陶瓷封装的散热性好，但成本高、工艺复杂。采用树脂封装，一般树脂材料的导热性很差。本项目通过在树脂基体中填加高导热陶瓷材料，并加入偶联剂，可以采用普通树脂封装工艺。导热性能超过普通树脂基体10倍以上。同时又提高了树脂的热稳定性、减小了树脂的热膨胀系数，从而有利于提高了光电子器件的热稳定性和抗热冲击性能。技术的应用领域前景分析：该技术还可以应用于其它需要树脂导热性能的场合，如热交换器、建筑供热管道、机电外壳等。效益分析：本项目是一种工艺简单、成本低的导热型光电子树脂封装材料，效益十分可观。厂房条件建议：无备注：无
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一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。
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基于银酸锂薄膜/磷化钢芯片的可调谐半导体激光器
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
申请人和课题组所在的实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室拥有“微纳加工与分析平台"、"光电半导体材料制备与器件加工平台"、"材料分析与测试平台"等一系列科研平台,可以完成从材料表征、混合集成、微纳加工、测试封装等一系列自主化光芯片制备工艺流程。申请人所在课题组(余思远教授、蔡鑫伦教授团队)围绕下一代光电集成系统中的关键光电材料LNOI,以开发自主可控的光电子芯片技术为目标,掌握了银酸锂薄膜光电子芯片设计、制备以及测试的整套自主研发方法。
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半导体微环激光器的制作与应用研究
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
项目概述： 半导体微环激光器可以实现可调谐光源、红外与太赫兹源、混沌光源及保密通信、全光路由及全光信息处理等不同的功能与应用，在光电子技术领域具有非常大的潜力与优势。目前研究集中在器件与应用研究等方面，建立了微纳尺度的半导体环形激光器的理论模型，针对不同波段、 不同材料系统的制作工艺难点，建立了单片微纳结构制造工艺流程，完成了半径在10-100微米之间的矩形回射腔微环和微碟激光器芯片的设计与制作测试。 合作方式： 面议。
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宽波带光电子多功能治疗仪
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：用光电子的方法治疗疼痛在国外已经成熟，效果很好。这类产品因其是一种光机电一体化的高科技产品，售价在25至30万元。国内目前尚未发现生产此类产品的厂家。武汉理工大学对此做了深入研究，不仅具备生产国外同类产品水平仪器的技术条件，且由单纯疼痛治疗扩大到，同一仪器还可治疗多科疾病。技术的应用领域前景分析：生产设备、不仅可生产本治疗仪,还可扩大生产光子美容仪类系列产品及激光治疗仪系列产品。效益分析：该多功能治疗仪生产成本低，市场应用广泛，固定资产投资根据实际情况可大可小。厂房条件建议：无备注：无
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光电子单晶材料超光滑表面加工关键技术
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本项目采用化学机械超精密抛光方法，通过磨料微粒与工件加工面接触部分的化学反应以及抛光液的腐蚀作用在加工表面形成化学反应薄层，利用微粒的机械摩擦作用去除反应层，高效率获得钽酸锂单晶片超光滑抛光表面。本项目可根据被加工材料的特性，优选抛光液，获得提高抛光效率的化学反应层；并给出抛光盘转速、抛光压力、磨料粒度、抛光液PH值等主要抛光工艺参数的最优值，以实现高效率、高精度的晶片锯切和无损伤镜面抛光。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器的信号读出放大方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：文化、体育和娱乐业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器信号的读出放大方法，在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有底层和顶层绝缘介质材料和栅极，设有光电子存储层的光敏复合介质栅MOSFET探测器；光电子读出放大：将探测器的源极和衬底接地，漏极接合适正电压约0.1V，通过调节栅极电压约1～3V使MOSFET探测器工作在线性区；通过对输出漏极电流的直接测量，得到漏极的电流变化量与搜集到的光电子数目的关系式；复位：在探测器栅极上加负偏压VG，衬底接地；当负偏压足够高，光电子存储层中储存的光电子通过隧穿被扫P型半导体衬底中；克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
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混合集成式光电子取样系统
成熟度：-
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
目前国外已有的光电子取样技术产品均采用染料激光器作光源，体积大，成本高，维护使用不方便。该项目采用半导体激光器作光源，采用混合集成式光电回路作取样门，避免了上述缺点。这在国内外均有一定的创造性。主要技术指标为：分辨时间＜４０ｐｓ；测量灵敏度≤１ｍＶ（ｒｍｓ）。该系统还具有体积小、造价低，使用方便的优点，和宽带示波器相比，具有无抖动触发、可用ＰＣ机处理数据和显示打印波形等优点。上述指标和性能达到９０年代初国际水平。该成果如开发成产品，每台售价（包括开发费折入成本）估计为７～９万元。
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光敏复合介质栅MOSFET探测器
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、Si0N或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。
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基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器及其信号读取办法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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导热型光电子树脂封装材料
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：项目简介：目前散热问题已成为光电子器件小型化、高集成化的一个主要障碍。金属或陶瓷封装的散热性好，但成本高、工艺复杂。采用树脂封装，一般树脂材料的导热性很差。本项目通过在树脂基体中填加高导热陶瓷材料，并加入偶联剂，可以采用普通树脂封装工艺。导热性能超过普通树脂基体10倍以上。同时又提高了树脂的热稳定性、减小了树脂的热膨胀系数，从而有利于提高了光电子器件的热稳定性和抗热冲击性能。技术的应用领域前景分析：该技术还可以应用于其它需要树脂导热性能的场合，如热交换器、建筑供热管道、机电外壳等。效益分析：本项目是一种工艺简单、成本低的导热型光电子树脂封装材料，效益十分可观。厂房条件建议：无备注：无
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一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。
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基于银酸锂薄膜/磷化钢芯片的可调谐半导体激光器
成熟度：通过小试
技术类型：-
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
申请人和课题组所在的实验室,中山大学光电材料与技术国家重点实验室拥有“微纳加工与分析平台"、"光电半导体材料制备与器件加工平台"、"材料分析与测试平台"等一系列科研平台,可以完成从材料表征、混合集成、微纳加工、测试封装等一系列自主化光芯片制备工艺流程。申请人所在课题组(余思远教授、蔡鑫伦教授团队)围绕下一代光电集成系统中的关键光电材料LNOI,以开发自主可控的光电子芯片技术为目标,掌握了银酸锂薄膜光电子芯片设计、制备以及测试的整套自主研发方法。
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半导体微环激光器的制作与应用研究
成熟度：通过中试
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
项目概述： 半导体微环激光器可以实现可调谐光源、红外与太赫兹源、混沌光源及保密通信、全光路由及全光信息处理等不同的功能与应用，在光电子技术领域具有非常大的潜力与优势。目前研究集中在器件与应用研究等方面，建立了微纳尺度的半导体环形激光器的理论模型，针对不同波段、 不同材料系统的制作工艺难点，建立了单片微纳结构制造工艺流程，完成了半径在10-100微米之间的矩形回射腔微环和微碟激光器芯片的设计与制作测试。 合作方式： 面议。
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宽波带光电子多功能治疗仪
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
技术投资分析：用光电子的方法治疗疼痛在国外已经成熟，效果很好。这类产品因其是一种光机电一体化的高科技产品，售价在25至30万元。国内目前尚未发现生产此类产品的厂家。武汉理工大学对此做了深入研究，不仅具备生产国外同类产品水平仪器的技术条件，且由单纯疼痛治疗扩大到，同一仪器还可治疗多科疾病。技术的应用领域前景分析：生产设备、不仅可生产本治疗仪,还可扩大生产光子美容仪类系列产品及激光治疗仪系列产品。效益分析：该多功能治疗仪生产成本低，市场应用广泛，固定资产投资根据实际情况可大可小。厂房条件建议：无备注：无