D-T中子发生器

D-T中子发生器产学研合作资源

应 用 行 业:专用仪器仪表制造

高新技术领域:电子信息

关 键 词:角分布,墙壁,D-T,中子,束流

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D-T中子发生器专题介绍
根据D-T中子源260 keV氘束流能量下的中子能谱和角分布数据,建立了D-T中子源模型,在中子发生器各元件材料及实验大厅墙壁对快中子的慢化、散射和吸收的条件下,采用MCNP模拟程序对强流中子发生器n-γ辐射场进行了模拟研究,得到了中子能谱、中子和γ角分布、n-γ比等重要参数。模拟结果与有关文献实验数据的基本吻合,验证了所建立的MCNP模拟模型的可靠合理。
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