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InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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核-壳结构的钇锑基复合磁性颗粒光催化剂制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
核-壳结构的催化材料磁性颗粒核-Y3-xYbxSbO7和磁性颗粒核-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)的制备方法，采用脉冲激光溅射沉积的方法：a.靶材制备：采用固相烧结的方法制备Y3-xYbxSbO7和Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)靶材；b.选取衬底：选用铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO作为衬底；c.采用脉冲激光溅射沉积，激光主波长为248nm，激光功率密度为2～3J/cm2，以氮气为保护气氛，在γ-Fe2O3、SiO2或MnO衬底上沉积厚度不同的膜，将上述膜分别于氮气或在氩气中在1340±10℃和1340±10℃温度下处理60±10min，使之晶化而得到所需的磁性复合催化材料，包括制备Y3-xYbxSbO7与Y3-xGaxSbO7。
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一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数，间距和金字塔形貌之间的关系；步骤2：在蓝宝石衬底上淀积掩膜层；步骤3：用激光打孔的方式，制得图形化蓝宝石衬底；步骤4：在图形化蓝宝石衬底生长金字塔阵列。这种办法操作简便，无需光刻和ICP刻蚀，可控性强，可实现多种尺寸、间距或深度的SiO2孔。且通过打孔这种方式实现了类似于图形化蓝宝的结构，在这种衬底上生长的金字塔位错密度和应力都较低。
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一种垂直结构LED芯片制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域；3)在LED外延层上依次制备得到欧姆接触层、第一键合材料层，在键合衬底上制备得到第二键合材料层；4)将LED外延层上的第一键合材料层与键合衬底上的第二键合材料层键合在一起，然后利用激光剥离方法去除异质衬底；5)将剥离后的LED外延层刻蚀至N-GaN表面，用湿法腐蚀工艺将柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域和LED外延层有效区域外氮化镓材料去除，最后完成钝化层和N电极制备，得到垂直结构LED芯片。
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一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。
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一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。
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一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法，传感元件由梳状导电叉指电极(1)、铅笔绘制传感层(2)和纸衬底(3)构成，其充分结合印刷技术与铅笔(4)材料二者的优点，制作方法包括将梳状导电叉指电极(1)印刷在纸衬底(3)上，并将其放在干燥箱内干燥烧结；用铅笔(4)在带有叉指电极(1)的纸衬底(3)上绘制NO2传感薄膜，最终得到铅笔绘制式NO2传感元件。与现有技术相比，本发明制作工艺简单、操作方便，工艺参数易于控制，制作过程无污染，传感薄膜材料易取、成本低，电气性能稳定，具有小型化、轻薄化和低能耗的特点。
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用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体，它包括SiC晶体衬底，在SiC晶体衬底一个表面生长有石墨烯层，SiC晶体衬底另一表面经过研磨抛光为曲率半径为R的球面；SiC晶体衬底固定在机械夹具内，夹具两端留有圆形通光孔，可连接光纤头。
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一种透明热电模块的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种透明热电模块的制备方法，属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr1‑xMgxO2薄膜，淀积过程用镍掩膜板Ⅰ遮挡衬底表面；然后将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°，镍掩膜板Ⅰ位置不变，用脉冲激光沉积在单晶衬底的另一表面淀积N‑Zn1‑yAlyO薄膜；最后采用离子溅射在单晶衬底的边缘两侧制备金电极，淀积过程用镍掩膜板Ⅱ遮挡衬底的边缘两侧。本发明制备得到的透明热电模块为P‑CuCr1‑xMgxO2、N‑Zn1‑yAlyO薄膜间呈X形交叉分布，且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。本发明相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率增大，衬底和电极材料用量减少，模块在可见光波段透过率高，肉眼观察为透明。
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InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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核-壳结构的钇锑基复合磁性颗粒光催化剂制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
核-壳结构的催化材料磁性颗粒核-Y3-xYbxSbO7和磁性颗粒核-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)的制备方法，采用脉冲激光溅射沉积的方法：a.靶材制备：采用固相烧结的方法制备Y3-xYbxSbO7和Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)靶材；b.选取衬底：选用铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO作为衬底；c.采用脉冲激光溅射沉积，激光主波长为248nm，激光功率密度为2～3J/cm2，以氮气为保护气氛，在γ-Fe2O3、SiO2或MnO衬底上沉积厚度不同的膜，将上述膜分别于氮气或在氩气中在1340±10℃和1340±10℃温度下处理60±10min，使之晶化而得到所需的磁性复合催化材料，包括制备Y3-xYbxSbO7与Y3-xGaxSbO7。
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一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数，间距和金字塔形貌之间的关系；步骤2：在蓝宝石衬底上淀积掩膜层；步骤3：用激光打孔的方式，制得图形化蓝宝石衬底；步骤4：在图形化蓝宝石衬底生长金字塔阵列。这种办法操作简便，无需光刻和ICP刻蚀，可控性强，可实现多种尺寸、间距或深度的SiO2孔。且通过打孔这种方式实现了类似于图形化蓝宝的结构，在这种衬底上生长的金字塔位错密度和应力都较低。
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一种垂直结构LED芯片制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域；3)在LED外延层上依次制备得到欧姆接触层、第一键合材料层，在键合衬底上制备得到第二键合材料层；4)将LED外延层上的第一键合材料层与键合衬底上的第二键合材料层键合在一起，然后利用激光剥离方法去除异质衬底；5)将剥离后的LED外延层刻蚀至N-GaN表面，用湿法腐蚀工艺将柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域和LED外延层有效区域外氮化镓材料去除，最后完成钝化层和N电极制备，得到垂直结构LED芯片。
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一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。
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一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。
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一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法，传感元件由梳状导电叉指电极(1)、铅笔绘制传感层(2)和纸衬底(3)构成，其充分结合印刷技术与铅笔(4)材料二者的优点，制作方法包括将梳状导电叉指电极(1)印刷在纸衬底(3)上，并将其放在干燥箱内干燥烧结；用铅笔(4)在带有叉指电极(1)的纸衬底(3)上绘制NO2传感薄膜，最终得到铅笔绘制式NO2传感元件。与现有技术相比，本发明制作工艺简单、操作方便，工艺参数易于控制，制作过程无污染，传感薄膜材料易取、成本低，电气性能稳定，具有小型化、轻薄化和低能耗的特点。
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用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体，它包括SiC晶体衬底，在SiC晶体衬底一个表面生长有石墨烯层，SiC晶体衬底另一表面经过研磨抛光为曲率半径为R的球面；SiC晶体衬底固定在机械夹具内，夹具两端留有圆形通光孔，可连接光纤头。
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一种透明热电模块的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种透明热电模块的制备方法，属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr1‑xMgxO2薄膜，淀积过程用镍掩膜板Ⅰ遮挡衬底表面；然后将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°，镍掩膜板Ⅰ位置不变，用脉冲激光沉积在单晶衬底的另一表面淀积N‑Zn1‑yAlyO薄膜；最后采用离子溅射在单晶衬底的边缘两侧制备金电极，淀积过程用镍掩膜板Ⅱ遮挡衬底的边缘两侧。本发明制备得到的透明热电模块为P‑CuCr1‑xMgxO2、N‑Zn1‑yAlyO薄膜间呈X形交叉分布，且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。本发明相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率增大，衬底和电极材料用量减少，模块在可见光波段透过率高，肉眼观察为透明。
找到217项技术成果数据。
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InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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核-壳结构的钇锑基复合磁性颗粒光催化剂制备方法
成熟度：正在研发
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技术简介
核-壳结构的催化材料磁性颗粒核-Y3-xYbxSbO7和磁性颗粒核-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)的制备方法，采用脉冲激光溅射沉积的方法：a.靶材制备：采用固相烧结的方法制备Y3-xYbxSbO7和Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)靶材；b.选取衬底：选用铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO作为衬底；c.采用脉冲激光溅射沉积，激光主波长为248nm，激光功率密度为2～3J/cm2，以氮气为保护气氛，在γ-Fe2O3、SiO2或MnO衬底上沉积厚度不同的膜，将上述膜分别于氮气或在氩气中在1340±10℃和1340±10℃温度下处理60±10min，使之晶化而得到所需的磁性复合催化材料，包括制备Y3-xYbxSbO7与Y3-xGaxSbO7。
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一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数，间距和金字塔形貌之间的关系；步骤2：在蓝宝石衬底上淀积掩膜层；步骤3：用激光打孔的方式，制得图形化蓝宝石衬底；步骤4：在图形化蓝宝石衬底生长金字塔阵列。这种办法操作简便，无需光刻和ICP刻蚀，可控性强，可实现多种尺寸、间距或深度的SiO2孔。且通过打孔这种方式实现了类似于图形化蓝宝的结构，在这种衬底上生长的金字塔位错密度和应力都较低。
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一种垂直结构LED芯片制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域；3)在LED外延层上依次制备得到欧姆接触层、第一键合材料层，在键合衬底上制备得到第二键合材料层；4)将LED外延层上的第一键合材料层与键合衬底上的第二键合材料层键合在一起，然后利用激光剥离方法去除异质衬底；5)将剥离后的LED外延层刻蚀至N-GaN表面，用湿法腐蚀工艺将柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域和LED外延层有效区域外氮化镓材料去除，最后完成钝化层和N电极制备，得到垂直结构LED芯片。
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一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。
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一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。
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一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法，传感元件由梳状导电叉指电极(1)、铅笔绘制传感层(2)和纸衬底(3)构成，其充分结合印刷技术与铅笔(4)材料二者的优点，制作方法包括将梳状导电叉指电极(1)印刷在纸衬底(3)上，并将其放在干燥箱内干燥烧结；用铅笔(4)在带有叉指电极(1)的纸衬底(3)上绘制NO2传感薄膜，最终得到铅笔绘制式NO2传感元件。与现有技术相比，本发明制作工艺简单、操作方便，工艺参数易于控制，制作过程无污染，传感薄膜材料易取、成本低，电气性能稳定，具有小型化、轻薄化和低能耗的特点。
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用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体，它包括SiC晶体衬底，在SiC晶体衬底一个表面生长有石墨烯层，SiC晶体衬底另一表面经过研磨抛光为曲率半径为R的球面；SiC晶体衬底固定在机械夹具内，夹具两端留有圆形通光孔，可连接光纤头。
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一种透明热电模块的制备方法
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技术类型：发明
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本发明公开了一种透明热电模块的制备方法，属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr1‑xMgxO2薄膜，淀积过程用镍掩膜板Ⅰ遮挡衬底表面；然后将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°，镍掩膜板Ⅰ位置不变，用脉冲激光沉积在单晶衬底的另一表面淀积N‑Zn1‑yAlyO薄膜；最后采用离子溅射在单晶衬底的边缘两侧制备金电极，淀积过程用镍掩膜板Ⅱ遮挡衬底的边缘两侧。本发明制备得到的透明热电模块为P‑CuCr1‑xMgxO2、N‑Zn1‑yAlyO薄膜间呈X形交叉分布，且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。本发明相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率增大，衬底和电极材料用量减少，模块在可见光波段透过率高，肉眼观察为透明。
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InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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核-壳结构的钇锑基复合磁性颗粒光催化剂制备方法
成熟度：正在研发
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应用行业：制造业
技术简介
核-壳结构的催化材料磁性颗粒核-Y3-xYbxSbO7和磁性颗粒核-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)的制备方法，采用脉冲激光溅射沉积的方法：a.靶材制备：采用固相烧结的方法制备Y3-xYbxSbO7和Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)靶材；b.选取衬底：选用铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO作为衬底；c.采用脉冲激光溅射沉积，激光主波长为248nm，激光功率密度为2～3J/cm2，以氮气为保护气氛，在γ-Fe2O3、SiO2或MnO衬底上沉积厚度不同的膜，将上述膜分别于氮气或在氩气中在1340±10℃和1340±10℃温度下处理60±10min，使之晶化而得到所需的磁性复合催化材料，包括制备Y3-xYbxSbO7与Y3-xGaxSbO7。
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一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数，间距和金字塔形貌之间的关系；步骤2：在蓝宝石衬底上淀积掩膜层；步骤3：用激光打孔的方式，制得图形化蓝宝石衬底；步骤4：在图形化蓝宝石衬底生长金字塔阵列。这种办法操作简便，无需光刻和ICP刻蚀，可控性强，可实现多种尺寸、间距或深度的SiO2孔。且通过打孔这种方式实现了类似于图形化蓝宝的结构，在这种衬底上生长的金字塔位错密度和应力都较低。
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一种垂直结构LED芯片制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域；3)在LED外延层上依次制备得到欧姆接触层、第一键合材料层，在键合衬底上制备得到第二键合材料层；4)将LED外延层上的第一键合材料层与键合衬底上的第二键合材料层键合在一起，然后利用激光剥离方法去除异质衬底；5)将剥离后的LED外延层刻蚀至N-GaN表面，用湿法腐蚀工艺将柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域和LED外延层有效区域外氮化镓材料去除，最后完成钝化层和N电极制备，得到垂直结构LED芯片。
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一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。
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一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。
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一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法，传感元件由梳状导电叉指电极(1)、铅笔绘制传感层(2)和纸衬底(3)构成，其充分结合印刷技术与铅笔(4)材料二者的优点，制作方法包括将梳状导电叉指电极(1)印刷在纸衬底(3)上，并将其放在干燥箱内干燥烧结；用铅笔(4)在带有叉指电极(1)的纸衬底(3)上绘制NO2传感薄膜，最终得到铅笔绘制式NO2传感元件。与现有技术相比，本发明制作工艺简单、操作方便，工艺参数易于控制，制作过程无污染，传感薄膜材料易取、成本低，电气性能稳定，具有小型化、轻薄化和低能耗的特点。
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用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体，它包括SiC晶体衬底，在SiC晶体衬底一个表面生长有石墨烯层，SiC晶体衬底另一表面经过研磨抛光为曲率半径为R的球面；SiC晶体衬底固定在机械夹具内，夹具两端留有圆形通光孔，可连接光纤头。
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一种透明热电模块的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种透明热电模块的制备方法，属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr1‑xMgxO2薄膜，淀积过程用镍掩膜板Ⅰ遮挡衬底表面；然后将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°，镍掩膜板Ⅰ位置不变，用脉冲激光沉积在单晶衬底的另一表面淀积N‑Zn1‑yAlyO薄膜；最后采用离子溅射在单晶衬底的边缘两侧制备金电极，淀积过程用镍掩膜板Ⅱ遮挡衬底的边缘两侧。本发明制备得到的透明热电模块为P‑CuCr1‑xMgxO2、N‑Zn1‑yAlyO薄膜间呈X形交叉分布，且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。本发明相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率增大，衬底和电极材料用量减少，模块在可见光波段透过率高，肉眼观察为透明。
找到217项技术成果数据。
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InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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核-壳结构的钇锑基复合磁性颗粒光催化剂制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
核-壳结构的催化材料磁性颗粒核-Y3-xYbxSbO7和磁性颗粒核-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)的制备方法，采用脉冲激光溅射沉积的方法：a.靶材制备：采用固相烧结的方法制备Y3-xYbxSbO7和Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)靶材；b.选取衬底：选用铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO作为衬底；c.采用脉冲激光溅射沉积，激光主波长为248nm，激光功率密度为2～3J/cm2，以氮气为保护气氛，在γ-Fe2O3、SiO2或MnO衬底上沉积厚度不同的膜，将上述膜分别于氮气或在氩气中在1340±10℃和1340±10℃温度下处理60±10min，使之晶化而得到所需的磁性复合催化材料，包括制备Y3-xYbxSbO7与Y3-xGaxSbO7。
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一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数，间距和金字塔形貌之间的关系；步骤2：在蓝宝石衬底上淀积掩膜层；步骤3：用激光打孔的方式，制得图形化蓝宝石衬底；步骤4：在图形化蓝宝石衬底生长金字塔阵列。这种办法操作简便，无需光刻和ICP刻蚀，可控性强，可实现多种尺寸、间距或深度的SiO2孔。且通过打孔这种方式实现了类似于图形化蓝宝的结构，在这种衬底上生长的金字塔位错密度和应力都较低。
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一种垂直结构LED芯片制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域；3)在LED外延层上依次制备得到欧姆接触层、第一键合材料层，在键合衬底上制备得到第二键合材料层；4)将LED外延层上的第一键合材料层与键合衬底上的第二键合材料层键合在一起，然后利用激光剥离方法去除异质衬底；5)将剥离后的LED外延层刻蚀至N-GaN表面，用湿法腐蚀工艺将柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域和LED外延层有效区域外氮化镓材料去除，最后完成钝化层和N电极制备，得到垂直结构LED芯片。
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一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。
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一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。
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一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法，传感元件由梳状导电叉指电极(1)、铅笔绘制传感层(2)和纸衬底(3)构成，其充分结合印刷技术与铅笔(4)材料二者的优点，制作方法包括将梳状导电叉指电极(1)印刷在纸衬底(3)上，并将其放在干燥箱内干燥烧结；用铅笔(4)在带有叉指电极(1)的纸衬底(3)上绘制NO2传感薄膜，最终得到铅笔绘制式NO2传感元件。与现有技术相比，本发明制作工艺简单、操作方便，工艺参数易于控制，制作过程无污染，传感薄膜材料易取、成本低，电气性能稳定，具有小型化、轻薄化和低能耗的特点。
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用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体，它包括SiC晶体衬底，在SiC晶体衬底一个表面生长有石墨烯层，SiC晶体衬底另一表面经过研磨抛光为曲率半径为R的球面；SiC晶体衬底固定在机械夹具内，夹具两端留有圆形通光孔，可连接光纤头。
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一种透明热电模块的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种透明热电模块的制备方法，属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr1‑xMgxO2薄膜，淀积过程用镍掩膜板Ⅰ遮挡衬底表面；然后将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°，镍掩膜板Ⅰ位置不变，用脉冲激光沉积在单晶衬底的另一表面淀积N‑Zn1‑yAlyO薄膜；最后采用离子溅射在单晶衬底的边缘两侧制备金电极，淀积过程用镍掩膜板Ⅱ遮挡衬底的边缘两侧。本发明制备得到的透明热电模块为P‑CuCr1‑xMgxO2、N‑Zn1‑yAlyO薄膜间呈X形交叉分布，且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。本发明相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率增大，衬底和电极材料用量减少，模块在可见光波段透过率高，肉眼观察为透明。
找到217项技术成果数据。
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InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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核-壳结构的钇锑基复合磁性颗粒光催化剂制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
核-壳结构的催化材料磁性颗粒核-Y3-xYbxSbO7和磁性颗粒核-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)的制备方法，采用脉冲激光溅射沉积的方法：a.靶材制备：采用固相烧结的方法制备Y3-xYbxSbO7和Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)靶材；b.选取衬底：选用铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO作为衬底；c.采用脉冲激光溅射沉积，激光主波长为248nm，激光功率密度为2～3J/cm2，以氮气为保护气氛，在γ-Fe2O3、SiO2或MnO衬底上沉积厚度不同的膜，将上述膜分别于氮气或在氩气中在1340±10℃和1340±10℃温度下处理60±10min，使之晶化而得到所需的磁性复合催化材料，包括制备Y3-xYbxSbO7与Y3-xGaxSbO7。
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一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数，间距和金字塔形貌之间的关系；步骤2：在蓝宝石衬底上淀积掩膜层；步骤3：用激光打孔的方式，制得图形化蓝宝石衬底；步骤4：在图形化蓝宝石衬底生长金字塔阵列。这种办法操作简便，无需光刻和ICP刻蚀，可控性强，可实现多种尺寸、间距或深度的SiO2孔。且通过打孔这种方式实现了类似于图形化蓝宝的结构，在这种衬底上生长的金字塔位错密度和应力都较低。
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一种垂直结构LED芯片制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域；3)在LED外延层上依次制备得到欧姆接触层、第一键合材料层，在键合衬底上制备得到第二键合材料层；4)将LED外延层上的第一键合材料层与键合衬底上的第二键合材料层键合在一起，然后利用激光剥离方法去除异质衬底；5)将剥离后的LED外延层刻蚀至N-GaN表面，用湿法腐蚀工艺将柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域和LED外延层有效区域外氮化镓材料去除，最后完成钝化层和N电极制备，得到垂直结构LED芯片。
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一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。
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一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。
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一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法，传感元件由梳状导电叉指电极(1)、铅笔绘制传感层(2)和纸衬底(3)构成，其充分结合印刷技术与铅笔(4)材料二者的优点，制作方法包括将梳状导电叉指电极(1)印刷在纸衬底(3)上，并将其放在干燥箱内干燥烧结；用铅笔(4)在带有叉指电极(1)的纸衬底(3)上绘制NO2传感薄膜，最终得到铅笔绘制式NO2传感元件。与现有技术相比，本发明制作工艺简单、操作方便，工艺参数易于控制，制作过程无污染，传感薄膜材料易取、成本低，电气性能稳定，具有小型化、轻薄化和低能耗的特点。
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用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体，它包括SiC晶体衬底，在SiC晶体衬底一个表面生长有石墨烯层，SiC晶体衬底另一表面经过研磨抛光为曲率半径为R的球面；SiC晶体衬底固定在机械夹具内，夹具两端留有圆形通光孔，可连接光纤头。
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一种透明热电模块的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种透明热电模块的制备方法，属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr1‑xMgxO2薄膜，淀积过程用镍掩膜板Ⅰ遮挡衬底表面；然后将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°，镍掩膜板Ⅰ位置不变，用脉冲激光沉积在单晶衬底的另一表面淀积N‑Zn1‑yAlyO薄膜；最后采用离子溅射在单晶衬底的边缘两侧制备金电极，淀积过程用镍掩膜板Ⅱ遮挡衬底的边缘两侧。本发明制备得到的透明热电模块为P‑CuCr1‑xMgxO2、N‑Zn1‑yAlyO薄膜间呈X形交叉分布，且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。本发明相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率增大，衬底和电极材料用量减少，模块在可见光波段透过率高，肉眼观察为透明。
找到217项技术成果数据。
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InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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核-壳结构的钇锑基复合磁性颗粒光催化剂制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
核-壳结构的催化材料磁性颗粒核-Y3-xYbxSbO7和磁性颗粒核-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)的制备方法，采用脉冲激光溅射沉积的方法：a.靶材制备：采用固相烧结的方法制备Y3-xYbxSbO7和Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)靶材；b.选取衬底：选用铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO作为衬底；c.采用脉冲激光溅射沉积，激光主波长为248nm，激光功率密度为2～3J/cm2，以氮气为保护气氛，在γ-Fe2O3、SiO2或MnO衬底上沉积厚度不同的膜，将上述膜分别于氮气或在氩气中在1340±10℃和1340±10℃温度下处理60±10min，使之晶化而得到所需的磁性复合催化材料，包括制备Y3-xYbxSbO7与Y3-xGaxSbO7。
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一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数，间距和金字塔形貌之间的关系；步骤2：在蓝宝石衬底上淀积掩膜层；步骤3：用激光打孔的方式，制得图形化蓝宝石衬底；步骤4：在图形化蓝宝石衬底生长金字塔阵列。这种办法操作简便，无需光刻和ICP刻蚀，可控性强，可实现多种尺寸、间距或深度的SiO2孔。且通过打孔这种方式实现了类似于图形化蓝宝的结构，在这种衬底上生长的金字塔位错密度和应力都较低。
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一种垂直结构LED芯片制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域；3)在LED外延层上依次制备得到欧姆接触层、第一键合材料层，在键合衬底上制备得到第二键合材料层；4)将LED外延层上的第一键合材料层与键合衬底上的第二键合材料层键合在一起，然后利用激光剥离方法去除异质衬底；5)将剥离后的LED外延层刻蚀至N-GaN表面，用湿法腐蚀工艺将柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域和LED外延层有效区域外氮化镓材料去除，最后完成钝化层和N电极制备，得到垂直结构LED芯片。
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一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。
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一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。
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一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法，传感元件由梳状导电叉指电极(1)、铅笔绘制传感层(2)和纸衬底(3)构成，其充分结合印刷技术与铅笔(4)材料二者的优点，制作方法包括将梳状导电叉指电极(1)印刷在纸衬底(3)上，并将其放在干燥箱内干燥烧结；用铅笔(4)在带有叉指电极(1)的纸衬底(3)上绘制NO2传感薄膜，最终得到铅笔绘制式NO2传感元件。与现有技术相比，本发明制作工艺简单、操作方便，工艺参数易于控制，制作过程无污染，传感薄膜材料易取、成本低，电气性能稳定，具有小型化、轻薄化和低能耗的特点。
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用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体，它包括SiC晶体衬底，在SiC晶体衬底一个表面生长有石墨烯层，SiC晶体衬底另一表面经过研磨抛光为曲率半径为R的球面；SiC晶体衬底固定在机械夹具内，夹具两端留有圆形通光孔，可连接光纤头。
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一种透明热电模块的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种透明热电模块的制备方法，属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr1‑xMgxO2薄膜，淀积过程用镍掩膜板Ⅰ遮挡衬底表面；然后将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°，镍掩膜板Ⅰ位置不变，用脉冲激光沉积在单晶衬底的另一表面淀积N‑Zn1‑yAlyO薄膜；最后采用离子溅射在单晶衬底的边缘两侧制备金电极，淀积过程用镍掩膜板Ⅱ遮挡衬底的边缘两侧。本发明制备得到的透明热电模块为P‑CuCr1‑xMgxO2、N‑Zn1‑yAlyO薄膜间呈X形交叉分布，且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。本发明相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率增大，衬底和电极材料用量减少，模块在可见光波段透过率高，肉眼观察为透明。
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InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜及制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
InN材料作衬底或缓冲层制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料作衬底或缓冲层，并在上面制备InN/锗或InN/硅薄膜，InN材料缓冲层的厚度为100纳米以上，在其上制备单层或n层锗或硅薄膜，每层锗或硅薄膜的厚度为50纳米以上。本发明在200－1150℃生长温度范围内，采用MOCVD、CVD、HVPE或MBE生长技术生长InN/锗或InN/硅薄膜。利用Ge(111)和InN之间不太大的晶格失配比(9％)以及带隙的细微差别(40meV)得到异质结构。这种异质结构用于生产异质结双极型晶体管(HBTs)以及红外光探测器的优点很多。
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核-壳结构的钇锑基复合磁性颗粒光催化剂制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
核-壳结构的催化材料磁性颗粒核-Y3-xYbxSbO7和磁性颗粒核-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)的制备方法，采用脉冲激光溅射沉积的方法：a.靶材制备：采用固相烧结的方法制备Y3-xYbxSbO7和Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)靶材；b.选取衬底：选用铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO作为衬底；c.采用脉冲激光溅射沉积，激光主波长为248nm，激光功率密度为2～3J/cm2，以氮气为保护气氛，在γ-Fe2O3、SiO2或MnO衬底上沉积厚度不同的膜，将上述膜分别于氮气或在氩气中在1340±10℃和1340±10℃温度下处理60±10min，使之晶化而得到所需的磁性复合催化材料，包括制备Y3-xYbxSbO7与Y3-xGaxSbO7。
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一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开的一种微纳金字塔氮化镓基发光二极管阵列及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：步骤1：根据理论分析预测图形化衬底的孔径尺寸和金字塔生长参数，间距和金字塔形貌之间的关系；步骤2：在蓝宝石衬底上淀积掩膜层；步骤3：用激光打孔的方式，制得图形化蓝宝石衬底；步骤4：在图形化蓝宝石衬底生长金字塔阵列。这种办法操作简便，无需光刻和ICP刻蚀，可控性强，可实现多种尺寸、间距或深度的SiO2孔。且通过打孔这种方式实现了类似于图形化蓝宝的结构，在这种衬底上生长的金字塔位错密度和应力都较低。
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一种垂直结构LED芯片制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域；3)在LED外延层上依次制备得到欧姆接触层、第一键合材料层，在键合衬底上制备得到第二键合材料层；4)将LED外延层上的第一键合材料层与键合衬底上的第二键合材料层键合在一起，然后利用激光剥离方法去除异质衬底；5)将剥离后的LED外延层刻蚀至N-GaN表面，用湿法腐蚀工艺将柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域和LED外延层有效区域外氮化镓材料去除，最后完成钝化层和N电极制备，得到垂直结构LED芯片。
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一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。
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一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。
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一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种铅笔绘制式NO2传感元件及其制作方法，传感元件由梳状导电叉指电极(1)、铅笔绘制传感层(2)和纸衬底(3)构成，其充分结合印刷技术与铅笔(4)材料二者的优点，制作方法包括将梳状导电叉指电极(1)印刷在纸衬底(3)上，并将其放在干燥箱内干燥烧结；用铅笔(4)在带有叉指电极(1)的纸衬底(3)上绘制NO2传感薄膜，最终得到铅笔绘制式NO2传感元件。与现有技术相比，本发明制作工艺简单、操作方便，工艺参数易于控制，制作过程无污染，传感薄膜材料易取、成本低，电气性能稳定，具有小型化、轻薄化和低能耗的特点。
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用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体
成熟度：正在研发
技术类型：实用新型
应用行业：制造业
技术简介
摘要：一种用于光纤激光器被动锁模的饱和吸收体，它包括SiC晶体衬底，在SiC晶体衬底一个表面生长有石墨烯层，SiC晶体衬底另一表面经过研磨抛光为曲率半径为R的球面；SiC晶体衬底固定在机械夹具内，夹具两端留有圆形通光孔，可连接光纤头。
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一种透明热电模块的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种透明热电模块的制备方法，属于功能材料及器件领域。本发明所述方法首先采用脉冲激光沉积在双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底的其中一个表面淀积P‑CuCr1‑xMgxO2薄膜，淀积过程用镍掩膜板Ⅰ遮挡衬底表面；然后将双面抛光Al2O3(0001)单晶衬底翻转180°，镍掩膜板Ⅰ位置不变，用脉冲激光沉积在单晶衬底的另一表面淀积N‑Zn1‑yAlyO薄膜；最后采用离子溅射在单晶衬底的边缘两侧制备金电极，淀积过程用镍掩膜板Ⅱ遮挡衬底的边缘两侧。本发明制备得到的透明热电模块为P‑CuCr1‑xMgxO2、N‑Zn1‑yAlyO薄膜间呈X形交叉分布，且金电极将P、N型薄膜依次连接成两个串联通路。本发明相比现有薄膜热电模块单位面积上的输出功率增大，衬底和电极材料用量减少，模块在可见光波段透过率高，肉眼观察为透明。