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高亮度发光晶体管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n+型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。
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石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极，该复合电极包括：离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金属电极；以及覆设在该等金属电极上，并与该等金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜；其制备方法包括：在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极.然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极，可以显著降低金属电极的遮光面积，增加有效的光吸收面积，提高太阳电池的转换效率，同时降低多结太阳电池的成本，加快太阳能发电的应用与发展。
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三结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层，各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1。93eV、1。39eV、0。94eV。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。
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正装三结级联太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括 GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池 以及欧姆接触层。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长In组分步进的GaInP过渡层、InGaAs底 电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极， 获得目标太阳电池。
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自对准式TFT有源矩阵的制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法，该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法，本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作，即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形，在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。
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具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包括s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理，采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层，通过退火进行表面修复；s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属，形成欧姆接触。本发明使用简单的工艺，就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀，光刻图形简单，使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属，对于工艺的加工要求十分简单。
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半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边，从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外，该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外，该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外，该方法包括去除所述生长衬底。
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GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介： GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长 GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg 的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。
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倒装四结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。
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高亮度发光晶体管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n+型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。
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石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极，该复合电极包括：离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金属电极；以及覆设在该等金属电极上，并与该等金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜；其制备方法包括：在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极.然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极，可以显著降低金属电极的遮光面积，增加有效的光吸收面积，提高太阳电池的转换效率，同时降低多结太阳电池的成本，加快太阳能发电的应用与发展。
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三结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层，各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1。93eV、1。39eV、0。94eV。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。
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正装三结级联太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括 GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池 以及欧姆接触层。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长In组分步进的GaInP过渡层、InGaAs底 电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极， 获得目标太阳电池。
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自对准式TFT有源矩阵的制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法，该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法，本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作，即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形，在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。
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具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包括s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理，采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层，通过退火进行表面修复；s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属，形成欧姆接触。本发明使用简单的工艺，就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀，光刻图形简单，使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属，对于工艺的加工要求十分简单。
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半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边，从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外，该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外，该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外，该方法包括去除所述生长衬底。
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GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介： GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长 GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg 的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。
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倒装四结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。
找到10项技术成果数据。
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高亮度发光晶体管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n+型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。
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石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极，该复合电极包括：离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金属电极；以及覆设在该等金属电极上，并与该等金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜；其制备方法包括：在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极.然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极，可以显著降低金属电极的遮光面积，增加有效的光吸收面积，提高太阳电池的转换效率，同时降低多结太阳电池的成本，加快太阳能发电的应用与发展。
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三结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层，各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1。93eV、1。39eV、0。94eV。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。
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正装三结级联太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括 GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池 以及欧姆接触层。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长In组分步进的GaInP过渡层、InGaAs底 电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极， 获得目标太阳电池。
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自对准式TFT有源矩阵的制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法，该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法，本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作，即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形，在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。
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具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包括s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理，采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层，通过退火进行表面修复；s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属，形成欧姆接触。本发明使用简单的工艺，就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀，光刻图形简单，使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属，对于工艺的加工要求十分简单。
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半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边，从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外，该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外，该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外，该方法包括去除所述生长衬底。
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GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介： GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长 GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg 的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。
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倒装四结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。
找到10项技术成果数据。
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高亮度发光晶体管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n+型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。
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石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极，该复合电极包括：离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金属电极；以及覆设在该等金属电极上，并与该等金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜；其制备方法包括：在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极.然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极，可以显著降低金属电极的遮光面积，增加有效的光吸收面积，提高太阳电池的转换效率，同时降低多结太阳电池的成本，加快太阳能发电的应用与发展。
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三结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层，各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1。93eV、1。39eV、0。94eV。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。
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正装三结级联太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括 GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池 以及欧姆接触层。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长In组分步进的GaInP过渡层、InGaAs底 电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极， 获得目标太阳电池。
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自对准式TFT有源矩阵的制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法，该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法，本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作，即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形，在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。
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具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包括s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理，采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层，通过退火进行表面修复；s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属，形成欧姆接触。本发明使用简单的工艺，就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀，光刻图形简单，使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属，对于工艺的加工要求十分简单。
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半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边，从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外，该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外，该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外，该方法包括去除所述生长衬底。
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GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介： GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长 GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg 的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。
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倒装四结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。
找到10项技术成果数据。
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高亮度发光晶体管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n+型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。
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石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极，该复合电极包括：离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金属电极；以及覆设在该等金属电极上，并与该等金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜；其制备方法包括：在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极.然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极，可以显著降低金属电极的遮光面积，增加有效的光吸收面积，提高太阳电池的转换效率，同时降低多结太阳电池的成本，加快太阳能发电的应用与发展。
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三结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层，各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1。93eV、1。39eV、0。94eV。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。
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正装三结级联太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括 GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池 以及欧姆接触层。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长In组分步进的GaInP过渡层、InGaAs底 电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极， 获得目标太阳电池。
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自对准式TFT有源矩阵的制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法，该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法，本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作，即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形，在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。
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具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包括s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理，采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层，通过退火进行表面修复；s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属，形成欧姆接触。本发明使用简单的工艺，就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀，光刻图形简单，使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属，对于工艺的加工要求十分简单。
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半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边，从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外，该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外，该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外，该方法包括去除所述生长衬底。
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GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介： GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长 GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg 的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。
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倒装四结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。
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高亮度发光晶体管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n+型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。
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石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极，该复合电极包括：离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金属电极；以及覆设在该等金属电极上，并与该等金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜；其制备方法包括：在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极.然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极，可以显著降低金属电极的遮光面积，增加有效的光吸收面积，提高太阳电池的转换效率，同时降低多结太阳电池的成本，加快太阳能发电的应用与发展。
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三结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层，各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1。93eV、1。39eV、0。94eV。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。
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正装三结级联太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括 GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池 以及欧姆接触层。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长In组分步进的GaInP过渡层、InGaAs底 电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极， 获得目标太阳电池。
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自对准式TFT有源矩阵的制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法，该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法，本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作，即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形，在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。
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具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包括s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理，采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层，通过退火进行表面修复；s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属，形成欧姆接触。本发明使用简单的工艺，就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀，光刻图形简单，使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属，对于工艺的加工要求十分简单。
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半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边，从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外，该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外，该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外，该方法包括去除所述生长衬底。
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GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介： GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长 GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg 的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。
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倒装四结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。
找到10项技术成果数据。
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高亮度发光晶体管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n+型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。
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石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极，该复合电极包括：离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金属电极；以及覆设在该等金属电极上，并与该等金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜；其制备方法包括：在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极.然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极，可以显著降低金属电极的遮光面积，增加有效的光吸收面积，提高太阳电池的转换效率，同时降低多结太阳电池的成本，加快太阳能发电的应用与发展。
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三结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层，各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1。93eV、1。39eV、0。94eV。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。
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正装三结级联太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括 GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池 以及欧姆接触层。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长In组分步进的GaInP过渡层、InGaAs底 电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极， 获得目标太阳电池。
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自对准式TFT有源矩阵的制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法，该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法，本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作，即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形，在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。
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具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包括s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理，采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层，通过退火进行表面修复；s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属，形成欧姆接触。本发明使用简单的工艺，就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀，光刻图形简单，使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属，对于工艺的加工要求十分简单。
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半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边，从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外，该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外，该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外，该方法包括去除所述生长衬底。
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GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介： GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长 GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg 的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。
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倒装四结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。
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高亮度发光晶体管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：-
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n+型电子发射层(4)、与n+型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n+型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。
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石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极，该复合电极包括：离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金属电极；以及覆设在该等金属电极上，并与该等金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜；其制备方法包括：在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极.然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极，可以显著降低金属电极的遮光面积，增加有效的光吸收面积，提高太阳电池的转换效率，同时降低多结太阳电池的成本，加快太阳能发电的应用与发展。
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三结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种三结太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层，各子电池之间晶格常数匹配，带隙组合为1。93eV、1。39eV、0。94eV。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长AlGaInAs过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。
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正装三结级联太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括 GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡层、InGaAs底电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池 以及欧姆接触层。所述电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaAs衬底上依次生长In组分步进的GaInP过渡层、InGaAs底 电池、第一隧道结、InGaAsP中间电池、第二隧道结、InAlAs顶电池以及欧姆接触层；3）分别在所述欧姆接触层和GaAs衬底上制备上、下电极， 获得目标太阳电池。
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自对准式TFT有源矩阵的制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明涉及一种基于微机械加工工艺的自对准式TFT有源矩阵制造方法，该方法采用自对准式方法实现欧姆接触层的制作，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。区别于传统的TFT有源矩阵中欧姆接触层的制作方法，本发明利用自对准的方式实现欧姆接触层的制作，即从底栅金属电极方向作离子注入并以底栅金属电极作为自对准的图形，在有源层与源漏电极层形成欧姆接触层，从而使TFT有源矩阵的制造工艺难度大幅降低，提高制造成品率。
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具有高反射欧姆接触电极的短波紫外LED芯片制造方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了具有高反射欧姆接触电极的紫外LED芯片制造方法，在衬底上生长有紫外量子阱结构的AlxGa1‑xN(0≤x≤1)半导体单晶薄膜，得到结构I；将半导体薄膜进行光刻、刻蚀，刻蚀到P型AlxGa1‑xN层，留下的P型GaN层的圆柱，P型GaN圆柱间距在0.3‑6微米间，将半导体薄膜进行光刻定义出芯片图形后将其刻蚀穿或不刻蚀穿；制作高反射欧姆接触层及阻挡层，通过键合或电镀或二者的混合方式将芯片转移到导电衬底上，最后制作成紫外LED器件，紫外LED通过用对紫外具有高反射率的Ni/Al、Pt/Al、Pd/Al等金属叠层在P型GaN及P型AlxGa1‑xN层形成较好的反射欧姆接触，提高了紫外光出光效率。
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半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
摘要：本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包括s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理，采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层，通过退火进行表面修复；s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属，形成欧姆接触。本发明使用简单的工艺，就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀，光刻图形简单，使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属，对于工艺的加工要求十分简单。
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半导体发光器件以及制备发光二极管的方法
成熟度：可规模生产
技术类型：发明
应用行业：制造业
技术简介
本发明公开了一种半导体发光器件以及制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上制备铟镓铝氮基LED多层结构。该方法还包括在所述LED多层结构上沉积欧姆接触层。该方法还包括对所述欧姆接触层的边缘进行修边，从而使所述欧姆接触层的中心表面充分高于边缘。另外，该方法包括在所述LED多层结构之上沉积第一金属邦定层。另外，该方法包括在另一导电衬底上沉积第二金属邦定层。该方法还包括对所述LED多层结构和所述导电衬底进行压焊。此外，该方法包括去除所述生长衬底。
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GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：信息传输、软件和信息技术服务业
技术简介
项目简介： GaN基多量子阱结构的高亮度发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管。发光二极管从下到上依次为衬底、低温缓冲层、n型掺杂的GaN层、3～5个InGaN/GaN多量子阱、p型掺杂的AlGaN层、p型掺杂的GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p型欧姆接触层、在n型掺杂的GaN层上制备n型欧姆接触层。将衬底装入反应室热处理，依次生长 GaN缓冲层、n型掺硅GaN层、3～5个周期的渐变组分InGaN/GaN多量子阱、p型掺Mg 的AlGaN层、p型掺Mg的GaN层和5个周期掺Mg的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层，外延生长完退火，刻蚀出n型GaN层，再制备n型和p型欧姆接触层。
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倒装四结太阳电池及其制备方法
成熟度：正在研发
技术类型：发明
应用行业：电力、热力、燃气及水生产和供应业,制造业
技术简介
本发明提供一种倒装四结太阳电池及其制备方法，所述电池包括AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结及InGaAs底电池；GaAs子电池和InGaAsP子电池通过晶格异变缓冲层过渡。所述制备方法包括步骤：在一GaAs衬底上生长第一欧姆接触层；在第一欧姆接触层上依次生长AlGaAs顶电池、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、晶格异变缓冲层、InGaAsP子电池、第三隧道结、InGaAs底电池及第二欧姆接触层；在第二欧姆接触层上制备第二电极并与一支撑衬底键合；剥离GaAs衬底，并在第一欧姆接触层上制备第一电极，获得目标太阳电池。